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J-GLOBAL ID：201702289587251454   整理番号：17A1457632

多結晶薄膜光起電素子の解析と外部量子効率の予測のための分光偏光解析法【Powered by NICT】

Spectroscopic ellipsometry for analysis of polycrystalline thin-film photovoltaic devices and prediction of external quantum efficiency

著者 (8件)： Ibdah Abdel-Rahman (Department of Physics & Astronomy and Wright Center for Photovoltaics Innovation & Commercialization, University of Toledo, Toledo, OH, 43606, USA) ,  Koirala Prakash (Department of Physics & Astronomy and Wright Center for Photovoltaics Innovation & Commercialization, University of Toledo, Toledo, OH, 43606, USA) ,  Aryal Puruswottam (Department of Physics & Astronomy and Wright Center for Photovoltaics Innovation & Commercialization, University of Toledo, Toledo, OH, 43606, USA) ,  Pradhan Puja (Department of Physics & Astronomy and Wright Center for Photovoltaics Innovation & Commercialization, University of Toledo, Toledo, OH, 43606, USA) ,  Marsillac Sylvain (Virginia Institute of Photovoltaics, Old Dominion University, Norfolk, VA 23529, USA) ,  Rockett Angus A. (Department of Materials Science and Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL 61801, USA) ,  Podraza Nikolas J. (Department of Physics & Astronomy and Wright Center for Photovoltaics Innovation & Commercialization, University of Toledo, Toledo, OH, 43606, USA) ,  Collins Robert W. (Department of Physics & Astronomy and Wright Center for Photovoltaics Innovation & Commercialization, University of Toledo, Toledo, OH, 43606, USA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 421  号： PB  ページ： 601-607  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CuIn_1 xGa_xSe_2/CdS及びCdS/CdTeヘテロ接合を用いた完全な多結晶薄膜光起電力(PV)素子を,ex situ分光学的偏光解析法(SE)により研究した。本研究では,層の厚さは個々の層の誘電関数スペクトルε(E)を記述する組成のような光子エネルギーに依存しないパラメータと共に抽出した。これらPV素子の正確なex situ SE分析のために,ε(E)スペクトルのデータベースを二吸収体技術の各で使用したすべての薄膜成分材料が必要である。可能であれば,酸化と表面汚染を避けるためにデータベース測定は薄膜材料の蒸着後,室温まで冷却後すぐにその場SEを適用することにより行った。得られたその場SEデータからε(E)の定量は,堆積プロセス中に実時間で取得したSEデータの解析から得られる構造情報を必要とする。完全CuIn_1 xGa_xSe_2(CIGS)及びCdTe PVデバイスのex situ分析の結果から,ε(E)を記述するパラメータとの組み合わせで推定した層の厚さはデバイスの外部量子効率(EQE)スペクトルをシミュレートする今後の研究に用いることができる。これらのシミュレーションは,支配的な吸収剤成分(CIGS又はCdTe)を組み込んだ層,活性層内で発生した全ての電子-正孔対を分離し,収集したと仮定することによってここで行った。活性層のみならずバルク吸収体,窓及びバックコンタクト界面層を含んでいる可能性があり,これらの層からの個々の電流の寄与は,シミュレーションで決定した。さらに,ex situ SE分析結果は,不活性な層の吸収スペクトルの計算と全反射スペクトル,電流密度欠損の観点から全光損失の定量化を可能にする。SEマッピングは,アレイ検出を用いた多チャネルエリプソメータの高速与えられた行うことができ,得られたEQEシミュレーション能力は,大面積PVモジュール出力を予測するのに広く応用されている。究極の目標は,生産プロセスにおいてできるだけ早くPVサブ電池電流出力の予測を可能にするオンライン能力である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流密度 ,  活性層 ,  *薄膜 ,  ヘテロ接合 ,  電流 ,  光起電力 ,  *光起電素子 ,  シミュレーション ,  硫化カドミウム ,  反射スペクトル ,  吸収体 ,  テルル化カドミウム ,  *量子効率 ,  蒸着
準シソーラス用語： *外部量子効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 薄膜太陽電池 ,  分光偏光解析法 ,  量子効率

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多結晶薄膜 ,  光起電素子 ,  解析 ,  外部量子効率 ,  予測 ,  分光偏光解析法