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J-GLOBAL ID：201702289813930273   整理番号：17A0518456

走査型トンネル分光法および微分コンダクタンスイメージングによる2Dトポロジカル絶縁体の表面状態およびエッジ状態の同時観察

Simultaneous observation of surface- and edge-states of a 2D topological insulator through scanning tunneling spectroscopy and differential conductance imaging

著者 (4件)： Bhunia Hrishikesh (Department of Solid State Physics, Indian Association for the Cultivation of Science, Jadavpur, Kolkata 700032, India. [e-mail]) ,  Bar Abhijit ,  Bera Abhijit ,  Pal Amlan J.
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 15  ページ： 9872-9878  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トポロジカル絶縁体として作用する2次元(2D)Bi₂Se₃をコロイド合成法により成長させた。走査型トンネル分光法(STS)により,このナノプレートの表面状態及びエッジ状態を同時に調べた。内部において,状態密度(DOS)から伝導帯と価電子帯エッジの位置が明らかになった。他方,エッジのDOSは,2Dトポロジカル絶縁体のディラック円錐を表すフェルミエネルギー以下の非ゼロ値で,ディラック点に加えてギャップなし伝導状態をもたらした。微分トンネルコンダクタンス(dI/dV)では,電圧を変えて画像を記録し,トポロジカル絶縁体の2つの断面を,照明の明瞭なコントラストで選択的にまたは同時に見ることができた。2Dナノプレートの厚さを増加させると,材料は,ギャップのない表面状態を持つ3Dトポロジー絶縁体に変わった。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： スペクトロスコピー ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  *絶縁体 ,  *コンダクタンス ,  画像処理 ,  状態密度 ,  エネルギー準位 ,  価電子バンド ,  *ナノ構造 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： イメージング ,  ナノプレート ,  価電子帯 ,  走査型トンネル分光法 ,  伝導帯 ,  *微分コンダクタンス

分類 (2件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 走査型トンネル分光法 ,  微分コンダクタンス ,  イメージング ,  2D ,  トポロジカル絶縁体 ,  エッジ状態 ,  観察