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J-GLOBAL ID：201702289972203624   整理番号：17A0448948

CoSb_3ベース熱電素子の接合における界面反応【Powered by NICT】

Interfacial reactions at the joints of CoSb₃-based thermoelectric devices

著者 (3件)： Chen Sinn-wen (Department of Chemical Engineering, National Tsing Hua University, No. 101, Section 2, Kuang-fu Road, Hsinchu, 30013, Taiwan) ,  Chu Alan Hwader (Department of Chemical Engineering, National Tsing Hua University, No. 101, Section 2, Kuang-fu Road, Hsinchu, 30013, Taiwan) ,  Wong David Shan-Hill (Department of Chemical Engineering, National Tsing Hua University, No. 101, Section 2, Kuang-fu Road, Hsinchu, 30013, Taiwan)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 699  ページ： 448-454  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CoSb_3ベース合金は最も有望な熱電材料である。Ag-Cu共晶合金,Ag,39~2.9at%Cu,は779.1°Cで融点と中程度の温度で使用されている熱電モジュールのための良好なろう材候補である。Ag,39 9at%Cu合金はCoSb_3基板と有意に反応するので,障壁層の導入が必要であり,Co,NiとTiはポテンシャル障壁層である。本研究では,継手での反応,Ag Cu/Co/CoSb_3Ag Cu/Ni/CoSb_3とAg Cu/Ti/CoSb_3を調べた。界面反応は450°Cと600°CでCoSb_3基板と障壁層の間で観察され,それらは障壁層の導入によって著しく低下した。CoSb_2とCoSb相はTi/CoSb_3でNi/CoSb_3およびTiSb,TiSb_2とTiCoSb相でCo/CoSb_3接触,Ni_5Sb_2と(Co,Ni)Sb相で形成された。450°C1日で反応後,反応層厚さはCo/CoSb_3Ni/CoSb_3とTi/CoSb_3対2μm,24μm,0.4μmであった。CoはCoSb_3とAg,39 9at%Cu合金との良好な接着性と低い界面反応速度の両方を持ち,Ag-Cu共晶ろう材を用いた場合にCoはCoSb_3ベースモジュールのための450°Cで良好な障壁層であると結論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱電材料 ,  *熱電素子 ,  共晶 ,  共晶合金 ,  チタン ,  ニッケル ,  融点 ,  ポテンシャル障壁 ,  合金 ,  ろう材
準シソーラス用語： 粘着性 ,  バリア層 ,  *界面反応 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CoSb_3 ,  Ag-Cu ,  障壁層(Co Ni Ti) ,  界面反応 ,  ろう付け

分類 (3件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  電気的性質  (WB02010Y) ,  金属系の相平衡・状態図  (CB03012T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 熱電素子 ,  界面反応