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J-GLOBAL ID：201702290127599992   整理番号：17A0132710

GaN系MOSデバイスのゲート酸化膜のためのAl₂O₃/SiO₂ナノ積層体膜

Al₂O₃/SiO₂ nanolaminate for a gate oxide in a GaN-based MOS device

著者 (4件)： Kikuta Daigo (Toyota Central R&D Labs., Inc., 41-1, Yokomichi, Nagakute, Aichi 480-1192, Japan) ,  Itoh Kenji (Toyota Central R&D Labs., Inc., 41-1, Yokomichi, Nagakute, Aichi 480-1192, Japan) ,  Narita Tetsuo (Toyota Central R&D Labs., Inc., 41-1, Yokomichi, Nagakute, Aichi 480-1192, Japan) ,  Mori Tomohiko (Toyota Central R&D Labs., Inc., 41-1, Yokomichi, Nagakute, Aichi 480-1192, Japan)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 35  号： 1  ページ： 01B122-01B122-6  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,GaN上の異なる組成のAl₂O₃/SiO₂ナノ積層体膜の電気特性および信頼性を系統的に調べた。SiO₂成分が高まるにつれナノ積層体とGaNとの間の伝導帯オフセットが大きくなるため,ナノ積層体中の漏れ電流は抑制される。ナノ積層体/GaNの界面トラップ密度(D_it)は,Al₂O₃/GaNおよびSiO₂/GaN界面と同様に良好である。SiO₂成分が増すにつれてナノ積層体の寿命は長くなる。さらに,膜厚比0.21のナノ積層体では,同じ等価電場下でAl₂O₃とほぼ同等の寿命を持つことを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  基板 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  積層構造 ,  *二酸化ケイ素 ,  *酸化アルミニウム ,  信頼性 ,  漏れ電流 ,  *キャリア捕獲 ,  密度 ,  *酸化膜 ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜
準シソーラス用語： MOS素子 ,  ナノ積層構造 ,  界面トラップ密度 ,  *トラップ密度 ,  *ゲート酸化膜

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  MOSデバイス ,  ゲート酸化膜 ,  Al2O3 ,  SiO2 ,  ナノ積層体