化学的機械的研磨中の共通金属相互接続への帯電誘起損傷の1例【Powered by NICT】

Sub Yoon Myung; Hian Bernard Yap Tzen; Fong Lee It; Minhar Ariffin Bin; Wui Tan Kim; Jin Looi Hui; Min Foo Thai

文献

J-GLOBAL ID：201702290177836613 整理番号：17A1398613

化学的機械的研磨中の共通金属相互接続への帯電誘起損傷の1例【Powered by NICT】

A case of charging induced damage into the common Metal Interconnect during Chemical Mechanical Polishing

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資料名：
巻： 2017 号： ICOIP ページ： 83-86 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

欠陥は化学的機械的平坦化(CMP)処理のもう一つの重要な側面であり,典型的なCMP誘起欠陥:マイクロひっかき傷,スラリー粒子など以外の,ナノ半導体プロセス製造におけるプロセス収率に負の影響を与える重要なウエハ欠陥の他のタイプである。観察研究の症例は基準レベルと比較して,ウエハ機能収率は期待したより低いことを利用する。その結果,欠陥のあるチップは化学的機械的研磨中の一般的な金属配線誘起損傷における静電気放電(ESD)破壊問題を表示した。CMPプロセスモジュール分配と工具帯電解析後金属間誘電体(IMD)化学機械研磨(CMP)ステップ[1-2]でHCLU(Headクリーン負荷/無負荷)のApplied Materials Mirra Mesa CMPツールの比単位が指摘したについて述べた。本研究では,化学的機械的平坦化時の静電損傷を誘導することを脱イオン水(DIW)の限界で指定された本静電放電(ESD)抵抗率により生成した欠陥に焦点を当てた。なESD破壊を除去するために,既存の抽出ツールと可能な効率的に補完する実験計画法(DOE)の設計を提供する。提案したDOEセットを通して,一般的な金属相互接続への帯電誘起損傷(CID)を解析し,評価した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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固体デバイス製造技術一般 , 固体デバイス計測・試験・信頼性

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