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J-GLOBAL ID：201702290218034071   整理番号：17A0825941

コプレーナ調節末端を有するキトサンベース電解質ゲート低電圧酸化物トランジスタ【Powered by NICT】

Chitosan-Based Electrolyte Gated Low Voltage Oxide Transistor With a Coplanar Modulatory Terminal

著者 (5件)： Zhu Li Qiang (Key Laboratory of Graphene Technologies and Applications of Zhejiang Province, Ningbo Institute of Material Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, China) ,  Chao Jin Yu (Key Laboratory of Graphene Technologies and Applications of Zhejiang Province, Ningbo Institute of Material Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, China) ,  Xiao Hui (Key Laboratory of Graphene Technologies and Applications of Zhejiang Province, Ningbo Institute of Material Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, China) ,  Liu Rui (Key Laboratory of Graphene Technologies and Applications of Zhejiang Province, Ningbo Institute of Material Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, China) ,  Wan Qing (Key Laboratory of Graphene Technologies and Applications of Zhejiang Province, Ningbo Institute of Material Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 3  ページ： 322-325  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート誘電体としてのキトサンベースバイオ多糖類電解質を用いた酸化インジウム亜鉛薄膜トランジスタ(TFT)を作製した。TFTは~1.0Vの非常に低い動作電圧と良好な電気的性能を示した。電解質膜の特異的ゲート容量とTFTの電気的性能は,相乗プロトンゲーティング効果によるコプレーナ調節末端で効果的に変調できる。さらに,抵抗負荷インバータを調査し,バランスのとれた雑音余裕が得られた。追加調節末端を有するこのような酸化物ベースTFTは携帯電子機器への応用の可能性を見出すであろう。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 雑音余裕 ,  *電解質 ,  ゲート絶縁膜 ,  *酸化物 ,  薄膜トランジスタ ,  *トランジスタ
準シソーラス用語： 携帯電子機器 ,  ゲート容量 ,  電解質膜 ,  動作電圧 ,  酸化インジウム亜鉛 ,  *低電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 調節 ,  電解質 ,  ゲート ,  低電圧 ,  酸化物 ,  トランジスタ