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J-GLOBAL ID:201702290364711992   整理番号:17A1650100

プラズモンTHz検出のための非対称二重格子ゲート高電子移動度トランジスタの高速パルス応答【Powered by NICT】

High-speed pulse response of asymmetric-dual-grating-gate high-electron-mobility-transistor for plasmonic THz detection
著者 (11件):
資料名:
巻: 2017  号: IRMMW-THz  ページ: 1-2  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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非対称二重格子ゲート高電子移動度トランジスタ(ADGG HEMTs)は,オンチップ,高感度,室温動作,高速THz検出器が期待されている。本論文では,注入シードテラヘルツ波パラメトリック発振器(is TPG)から発生したTHzパルスへの応答を測定することによってADGG H EMTの高速応答を実験的に検証した。出力光起電力信号のパルス応答波形から,検出器の応答時間は100psと少なくとも同程度に速いことを実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  ,  トランジスタ 

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