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J-GLOBAL ID：201702290392363191   整理番号：17A1218227

グラフェン-Auナノ粒子に基づく垂直ヘテロ構造:高ZTを有する熱電素子への新規ルート【Powered by NICT】

Graphene-Au nanoparticle based vertical heterostructures: A novel route towards high-ZT Thermoelectric devices

著者 (14件)： Juang Zhen-Yu (Department of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Juang Zhen-Yu (SulfurScience Technology Co., Ltd., Taipei 10696, Taiwan) ,  Tseng Chien-Chih (Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia) ,  Shi Yumeng (Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia) ,  Shi Yumeng (SZU-NUS Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Science & Technology, Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Hsieh Wen-Pin (Institute of Earth Sciences, Academia Sinica, Taipei 11529, Taiwan) ,  Ryuzaki Sou (Institute for Materials Chemistry and Engineering, Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Saito Noboru (Institute for Materials Chemistry and Engineering, Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Hsiung Chia-En (Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia) ,  Chang Wen-Hao (Department of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Hernandez Yenny (Department of Physics, Universidad de los Andes, Bogota 111711, Colombia) ,  Han Yu (Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia) ,  Tamada Kaoru (Institute for Materials Chemistry and Engineering, Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Li Lain-Jong (Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia)
資料名： Nano Energy  (Nano Energy)
巻： 38  ページ： 385-391  発行年： 2017年 
JST資料番号： W3116A  ISSN： 2211-2855  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層グラフェンは印象的な面内熱伝導率(>1000Wm~ 1 K~ 1)を示した。しかし,面外熱輸送は弱いvan der Waals相互作用,垂直熱電(TE)デバイスを構築する可能性を示すために限定されている。ここでは,Si基板上の数層グラフェンと金ナノ粒子(AuNP)の垂直ヘテロ構造に基づく交差平面TE素子を提案し,AuNPの取込みは,フォノン輸送を阻害し,垂直方向に沿った電気伝導率を増強した。デバイスは高温面上に置いたとき測定可能なSeebeck電圧はトップグラフェンと底部Siの間の垂直に産生され,性能指数ZTは過渡的Harman法から室温において1であると推定した。出力電圧の極性は基板のキャリア極性によって決定される。実証したデバイス概念も柔軟で透明な基板に適用可能である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 極性 ,  *熱電素子 ,  電圧 ,  van der Waals力 ,  *グラフェン ,  性能指数 ,  *ナノ粒子 ,  電気伝導率 ,  熱伝導率
準シソーラス用語： フォノン輸送 ,  金ナノ粒子 ,  数層グラフェン ,  熱輸送 ,  単層グラフェン ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 熱電 ,  グラフェン ,  ナノ粒子 ,  ヘテロ構造

分類 (5件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  分子間相互作用  (BH07020P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  高分子固体のその他の性質  (CG02025L) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  Auナノ粒子 ,  垂直 ,  ヘテロ構造 ,  熱電素子