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J-GLOBAL ID：201702290458746456   整理番号：17A0451521

Cu/V多層膜の電気抵抗率に及ぼす温度とサイズ効果【Powered by NICT】

The temperature and size effect on the electrical resistivity of Cu/V multilayer films

著者 (7件)： Wang P.P. (State Key Laboratory of Nuclear Physics and Technology, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, PR China) ,  Wang X.J. (State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, Peking University, Beijing 100871, PR China) ,  Du J.L. (State Key Laboratory of Nuclear Physics and Technology, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, PR China) ,  Ren F. (School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, PR China) ,  Zhang Y. (Institute of Condensed Matter and Material Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, PR China) ,  Zhang X. (School of Materials Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  Fu E.G. (State Key Laboratory of Nuclear Physics and Technology, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, PR China)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 126  ページ： 294-301  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2.5から100nmまで変化する種々の個々の層厚を有するスパッタ蒸着したCu/V多層膜の電気抵抗率は150 300の温度範囲で評価した。Cu/V多層膜の抵抗率の温度係数(TCR)をDimmichモデルの半古典的理論に基づいて比較した。Fuchs-Sondheimer法とMayadas-Shatzkes法に基づく界面散乱と粒界散乱の両方を考慮することによって抵抗率と金属多層膜の個々の層の厚さの間の関係を記述するために提案した新しいモデル。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 散乱 ,  *電気抵抗率 ,  温度係数 ,  *サイズ効果 ,  層厚 ,  結晶粒界 ,  *多層膜
準シソーラス用語： 界面散乱 ,  温度範囲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電気抵抗率 ,  多層薄膜 ,  インタフェイス ,  粒界 ,  抵抗率の温度係数

分類 (7件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  機械的性質  (WB02030U) ,  電気的性質  (WB02010Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cu ,  多層膜 ,  電気抵抗率 ,  サイズ効果