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J-GLOBAL ID：201702290459587813   整理番号：17A0959561

単純化されたプロセスにより形成されたコバルトシリサイド上のコバルトを触媒とした熱フィラメントCVD法による単層カーボンナノチューブの低温高密度成長

High-Density Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes Using Cobalt on Cobalt Silicide Formed via Simplified Process as a Catalyst by Hot-Filament CVD at Low-Temperatures

著者 (2件)： 石川豊 (日本工業大学工学部) ,  KIM Sichang (日本工業大学工学部)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 38  号： 7  ページ： 357-361(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ化物 ,  *コバルト化合物 ,  *遷移金属触媒 ,  *化学蒸着 ,  *単層カーボンナノチューブ ,  *結晶成長 ,  密度 ,  走査電子顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  ウエハ【IC】 ,  薄膜成長 ,  薄膜
準シソーラス用語： *ケイ化コバルト ,  *コバルト触媒 ,  *熱フィラメントCVD ,  *低温成長 ,  高密度 ,  シリコンウエハ ,  配向膜

著者キーワード (8件)： single-walled carbon nanotube ,  high-density growth ,  cobalt catalyst ,  cobalt silicide support ,  single-walled carbon nanotube ,  high-density growth ,  cobalt catalyst ,  cobalt silicide support

分類 (2件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

引用文献 (11件)：

• 1) H. Dai, A.G. Rinzler, P. Nicolaev, A. Thess, D.T. Colbert and R.E. Smalley: Chem. Phys. Lett. 260, 471 (1996).
• 2) K. Hata, D.N. Futaba, K. Mizuno, T. Namai, M. Yumura and S. Iijima: Science 306, 1362 (2004).
• 3) Y. Murakami, S. Chiashi, Y. Miyauchi, M. Hu, M. Ogura, T. Okubo and S. Maruyama: Chem. Phys. Lett. 385, 298 (2004).
• 4) G.F. Zhong, T. Iwasaki, K. Honda, Y. Furukawa, I. Ohdomari and H. Kawarada: Jpn. J. Appl. Phys. 44, 1558 (2005).
• 5) S. Noda, K. Hasegawa, H. Sugime, K. Kakei, Z.Y. Zhang, S. Maruyama and Y. Yamaguchi: Jpn. J. Appl. Phys. 46, L399 (2007).

タイトルに関連する用語 (9件)： プロセス ,  コバルト ,  シリサイド ,  触媒 ,  熱フィラメントCVD ,  単層カーボンナノチューブ ,  低温 ,  高密度 ,  成長