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J-GLOBAL ID：201702290593932730   整理番号：17A1172383

の磁気的および電気的に同調デバイス応用の可能性を持つ新しい強誘電体/磁気回転フェライト(Pb,Sr)TiO_3/Y_3Fe_5O_12層状薄膜の研究【Powered by NICT】

Investigation of novel ferroelectric/gyromagnetic ferrite (Pb,Sr)TiO₃/Y₃Fe₅O₁₂ layered thin films with potential applications in magnetically and electrically tuning devices

著者 (12件)： Guo Xin (Key Laboratory of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Rd., Shanghai 200050, People’s Republic of China) ,  Guo Xin (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN) - DOAE, UMR CNRS 8520, Universite′ de Valenciennes et du Hainaut Cambresis, 59313 Valenciennes Cedex 9, France) ,  Guo Xin (University of Chinese Academy of Sciences, 19 A Yuquan Rd, Shijingshan District, Beijing 100049, People’s Republic of China) ,  Chen Ying (Key Laboratory of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Rd., Shanghai 200050, People’s Republic of China) ,  Wang Genshui (Key Laboratory of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Rd., Shanghai 200050, People’s Republic of China) ,  Remiens Denis (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN) - DOAE, UMR CNRS 8520, Universite′ de Valenciennes et du Hainaut Cambresis, 59313 Valenciennes Cedex 9, France) ,  Ponchel Freddy (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN) - DOAE, UMR CNRS 8520, Universite′ de Valenciennes et du Hainaut Cambresis, 59313 Valenciennes Cedex 9, France) ,  Zhang Wenbin (Key Laboratory of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Rd., Shanghai 200050, People’s Republic of China) ,  Lian Jianyun (Key Laboratory of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Rd., Shanghai 200050, People’s Republic of China) ,  Lian Jianyun (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN) - DOAE, UMR CNRS 8520, Universite′ de Valenciennes et du Hainaut Cambresis, 59313 Valenciennes Cedex 9, France) ,  Lian Jianyun (University of Chinese Academy of Sciences, 19 A Yuquan Rd, Shijingshan District, Beijing 100049, People’s Republic of China) ,  Dong Xianlin (Key Laboratory of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, 1295 Dingxi Rd., Shanghai 200050, People’s Republic of China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 195  ページ： 182-185  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二自由度調整の新しい強誘電体/磁気回転フェライト層状複合材料薄膜について報告した。構造をRFマグネトロンスパッタリングによりSi基板上にY_3Fe_5O_12(YIG)フェライト,LaNiO_3(LNO)電極と(100)配向Pb_0 4Sr_0 6TiO_3(PST)強誘電体膜の層状成長により作製した。LNO電極として存在するだけでなく,PST膜の配向成長のためのバッファ層を提供する。PST/YIG複合材料薄膜を,磁気的および電気的同調デバイスへの応用可能性を示す75%@360kV/cm,のμ_r(92.1%@600 Oe),160.7Oe@9.1GHzの低いFMR線幅(ΔH)と高い電気同調率(η)の大きな磁気同調性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： バッファ層 ,  *フェライト ,  *磁気 ,  *薄膜 ,  *同調 ,  自由度 ,  *強誘電体 ,  同時性 ,  複合材料
準シソーラス用語： 同調率 ,  線幅 ,  強誘電体薄膜 ,  シリコンウエハ ,  RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 多層構造 ,  薄膜 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  強誘電体/磁気回転フェライト複合材料 ,  磁気と電気的同調

分類 (1件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (10件)： 磁気 ,  同調 ,  応用 ,  可能性 ,  強誘電体 ,  フェライト ,  Pb ,  Sr ,  薄膜 ,  研究