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J-GLOBAL ID：201702290682303518   整理番号：17A1967729

Al_2O_3/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造における電子移動度に及ぼす光学フォノン散乱【Powered by NICT】

Optical phonon scattering on electronic mobility in Al₂O₃/AlGaN/AlN/GaN heterostructures

著者 (5件)： Zhou X.J. (Department of Physics, School of Physical Science and Technology, Inner Mongolia University, Hohhot 010021, China) ,  Zhou X.J. (Ordos Institute of Technology, Ordos 017000, Inner Mongolia, China) ,  Qu Y. (Department of Physics, School of Physical Science and Technology, Inner Mongolia University, Hohhot 010021, China) ,  Ban S.L. (Department of Physics, School of Physical Science and Technology, Inner Mongolia University, Hohhot 010021, China) ,  Wang Z.P. (Department of Physics, School of Physical Science and Technology, Inner Mongolia University, Hohhot 010021, China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 112  ページ： 1-9  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 内蔵電場とAlGaN材料における横方向光学フォノンの2モード特性を考慮して,電子固有エネルギーと波動関数が有限差分法を用いてSchroedinger方程式を解いて求めた。光学フォノンの分散関係とポテンシャルを伝達マトリックス法で与えた。Al_2O_3/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造における光学フォノンによる影響二次元電子ガスの移動度はLei-Tingの力バランス方程式の理論に基づいて調べた。半空間フォノンからの散乱は電子移動度に影響する主な因子であることが判明し,他のフォノンの影響は無視できる。結果は,移動度がAl_2O_3とAlN層の厚さの増加と共に減少することを示したが,移動度の間の明確な関係とAlGaN障壁の厚さではない。移動度は明らかにAlGaN結晶におけるAl成分を増加させる三元混晶の影響が重要であることを示すために減少した。も移動度は最初に増加し,次に固定電荷の増加と減少するが,温度上昇と共に常に減少することが分かった。AlN中間層により弱化した界面フォノンの影響のために,より高い電子移動度を持っているので,本研究で構築したヘテロ構造金属-酸化物-半導体高電子移動度トランジスタとして良い候補になり得る。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： HEMT ,  固溶体 ,  *移動度 ,  *アルミニウム ,  二次元電子ガス ,  Schroedinger方程式 ,  *フォノン ,  *散乱 ,  半導体 ,  *窒化アルミニウム ,  電場
準シソーラス用語： *窒化アルミニウムガリウム ,  *光学フォノン ,  *電子移動度 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 電子移動度 ,  光学フォノン散乱 ,  Al_2O_3/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造

分類 (4件)： 結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  AlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電子移動度 ,  光学フォノン ,  散乱