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J-GLOBAL ID：201702290734592376   整理番号：17A1641112

溶液処理ジルコニウム酸化物ゲート誘電体を有するpチャネル一酸化スズトランジスタの性能改善【Powered by NICT】

Performance Improvement of p-Channel Tin Monoxide Transistors With a Solution-Processed Zirconium Oxide Gate Dielectric

著者 (5件)： Azmi Azida (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea) ,  Lee Jiwon (Department of Electronic Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Gim Tae Jung (Department of Electronic Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Choi Rino (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea) ,  Jeong Jae Kyeong (Department of Electronic Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 11  ページ： 1543-1546  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高誘電率ジルコニウム酸化物(ZrO_2)ゲート絶縁膜,低コストスピンキャスト法により調製したpチャネル一酸化スズ(SnO)薄膜トランジスタ(TFT)の作製について報告した。スピンキャストZrO_2誘電体は1MV/cmで低い漏洩電流密度4.5×10~ 8cm~2を示した。こまSnO TFTにおけるZrO_2誘電体を導入80~10Vからの駆動ゲート電圧範囲の減少を可能にし,熱SiO_2ゲート絶縁体をもつデバイスと比較した。,2.5cm~/Vsの高い電界効果移動度と3×10~3のI_ON/OFFは保存されていた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸化スズ ,  *酸化ジルコニウム ,  薄膜トランジスタ ,  *誘電体 ,  *チャネル ,  *ゲート絶縁膜 ,  漏れ電流 ,  *トランジスタ
準シソーラス用語： 電界効果移動度 ,  ゲート電圧 ,  高誘電率 ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 溶液処理 ,  ジルコニウム酸化物 ,  ゲート誘電体 ,  チャネル ,  酸化スズ ,  トランジスタ ,  性能改善