Azmi Azida について
Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea について
Lee Jiwon について
Department of Electronic Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea について
Gim Tae Jung について
Department of Electronic Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea について
Choi Rino について
Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon, South Korea について
Jeong Jae Kyeong について
Department of Electronic Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea について
IEEE Electron Device Letters について
酸化スズ について
酸化ジルコニウム について
薄膜トランジスタ について
誘電体 について
チャネル について
ゲート絶縁膜 について
漏れ電流 について
トランジスタ について
電界効果移動度 について
ゲート電圧 について
高誘電率 について
溶液処理 について
トランジスタ について
溶液処理 について
ジルコニウム酸化物 について
ゲート誘電体 について
チャネル について
酸化スズ について
トランジスタ について
性能改善 について