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J-GLOBAL ID：201702290775948110   整理番号：17A1251166

アレイによる異なる誘電体共振器シリコン貫通の電気的モデリングと解析【Powered by NICT】

Electrical Modeling and Analysis of Differential Dielectric-Cavity Through-Silicon via Array

著者 (5件)： Liu Xiaoxian (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Zhu Zhangming (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Yang Yintang (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Ding Ruixue (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Li Yuejin (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
資料名： IEEE Microwave and Wireless Components Letters  (IEEE Microwave and Wireless Components Letters)
巻： 27  号： 7  ページ： 618-620  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0099A  ISSN： 1531-1309  CODEN： IMWCBJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 伝統的な低抵抗シリコン(LRSi)上の(DDC TSV)アレイを経由した差別的な誘電体共振器シリコン貫通孔(TSV)の寄生パラメータと等価電気モデルを本論文で提案した。TSVプラグはLRSi上にエッチングされた誘電体共振器に配置されている。モデルにおける各解析式を種々の物理的形状の機能として確立されている。抵抗-インダクタンス-容量-コンダクタンスモデルとDDC TSVアレイのSパラメータを先端設計システム(ADS),三次元全波電磁ソルバ高周波シミュレータ構造(HFSS)による検証によって構築した。ADSおよびHFSSのシミュレーション結果は,100GHzまでの周波数,提案したモデルの良好な精度を示すと互いに良く一致した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： インダクタンス ,  HF【周波数】 ,  シミュレーション ,  *誘電体共振器 ,  シミュレータ ,  スルーホール ,  *ケイ素 ,  プラグ ,  三次元 ,  *モデリング
準シソーラス用語： HFSS ,  ソルバ ,  設計システム ,  Sパラメータ ,  差別 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 共振器  (NC04050Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： アレイ ,  誘電体共振器 ,  シリコン ,  モデリング ,  解析