文献
J-GLOBAL ID：201702290781148786   整理番号：17A1567865

自己整合,ゲートラスト,FDSOI,5.5nm Hf_0 8Zr_0 2O_2を有する強誘電体ゲートメモリデバイス,高耐久性と破壊回復【Powered by NICT】

Self-Aligned, Gate Last, FDSOI, Ferroelectric Gate Memory Device With 5.5-nm Hf0.8Zr0.2O2, High Endurance and Breakdown Recovery
著者 (8件)：
Chatterjee Korok

Chatterjee Korok について

(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA)

Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA について

, 
Kim Sangwan

Kim Sangwan について

(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA)

Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA について

, 
Karbasian Golnaz

Karbasian Golnaz について

(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA)

Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA について

, 
Tan Ava J.

Tan Ava J. について

(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA)

Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA について

, 
Yadav Ajay K.

Yadav Ajay K. について

(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA)

Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA について

, 
Khan Asif I.

Khan Asif I. について

(Department of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA)

Department of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA について

, 
Hu Chenming

Hu Chenming について

(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA)

Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA について

, 
Salahuddin Sayeef

Salahuddin Sayeef について

(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA)

Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA について


資料名：
IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)

IEEE Electron Device Letters について


巻： 38  号： 10  ページ： 1379-1382  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
自己整合ゲート最終プロセスを用いて作製した超薄(5.5 nm)Hf_0 8Zr_0 2O_2(HZO)をもつ不揮発性単一トランジスタ強誘電体ゲートメモリ素子を実証した。FETは絶縁体上シリコンウエハを用いて作製した,強誘電体を原子層堆積により堆積した。報告されたデバイスは10~6までのオン/オフドレイン電流比,>10~10読み出しサイクルの読出し耐久性,そして10~7サイクルのプログラム/消去耐久性を持っている。さらに,ゲート絶縁膜破壊後のトランジスタの治癒を実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
*耐久性

耐久性 について

, 
絶縁体

絶縁体 について

, 
非揮発性

非揮発性 について

, 
*自己整合

自己整合 について

, 
ゲート絶縁膜

ゲート絶縁膜 について

, 
トランジスタ

トランジスタ について

, 
*強誘電体

強誘電体 について

, 
記憶素子

記憶素子 について


準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
読出し

読出し について

, 
ドレイン電流

ドレイン電流 について

, 
シリコンウエハ

シリコンウエハ について

, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体集積回路 
(NC03162T)

半導体集積回路 について

,  トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

タイトルに関連する用語 (9件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
自己整合

自己整合 について

, 
ゲート

ゲート について

, 
ラスト

ラスト について

, 
FDSOI

FDSOI について

, 
強誘電体

強誘電体 について

, 
メモリデバイス

メモリデバイス について

, 
高耐久性

高耐久性 について

, 
破壊

破壊 について

, 
回復

回復 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM