抵抗ランダムアクセスメモリにおける絶縁体として用いるための酸化インジウムスズ膜のO<sub>2</sub>プラズマ処理によって誘起される抵抗スイッチング特性

CHEN Po-Hsun; CHANG Ting-Chang; CHANG Ting-Chang; CHANG Kuan-Chang; CHANG Kuan-Chang; TSAI Tsung-Ming; PAN Chih-Hung; CHEN Min-Chen; SU Yu-Ting; LIN Chih-Yang; TSENG Yi-Ting; HUANG Hui-Chun; WU Huaqiang; DENG Ning; QIAN He; SZE Simon M.

文献

J-GLOBAL ID：201702290783432492 整理番号：17A0579179

抵抗ランダムアクセスメモリにおける絶縁体として用いるための酸化インジウムスズ膜のO₂プラズマ処理によって誘起される抵抗スイッチング特性

Resistance Switching Characteristics Induced by O₂ Plasma Treatment of an Indium Tin Oxide Film for Use as an Insulator in Resistive Random Access Memory

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資料名：
巻： 9 号： 3 ページ： 3149-3155 発行年： 2017年01月25日
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)は,次世代のメモリ素子として有望な候補の1つである。その優れた電気的性質のほかに,簡易な構造によるCMOSプロセスへに対する互換性の高さも魅力的である。しかしながら,RRAMの抵抗スイッチング特性については,まだ未解明な点も多い。本研究では,RRAMの絶縁層として用いるための酸化インジウムスズ(ITO)膜のO₂プラズマ処理について報告する。プラズマ処理を行うと,ITO膜のモル濃度とシート抵抗などの電気的性質が著しく変化することがわかった。さらに,同じITO膜をキャッピングして頂部電極としたITO/ITO(プラズマ処理)/TiN素子は明瞭な抵抗スイッチング特性を示した。

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半導体結晶の電気伝導

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抵抗ランダムアクセスメモリにおける絶縁体として用いるための酸化インジウムスズ膜のO2プラズマ処理によって誘起される抵抗スイッチング特性

抵抗ランダムアクセスメモリにおける絶縁体として用いるための酸化インジウムスズ膜のO₂プラズマ処理によって誘起される抵抗スイッチング特性