文献

J-GLOBAL ID：201702290855840039   整理番号：17A1273452

高アスペクト比高電圧デバイス面積効率を改善するための誘電体壁としての金型エッジ周辺の深いトレンチ終端(HARDT~2)法【Powered by NICT】

High aspect ratio deep trench termination (HARDT²) technique surrounding die edge as dielectric wall to improve high voltage device area efficiency

著者 (6件)： Yamaguchi Takuya (Advanced Discrete Development Center, Discrete Semiconductor Division, Storage & Electronic Devices Solutions Company, Toshiba Corporation, Nomi, Ishikawa, Japan) ,  Okumura Hideki (Advanced Discrete Development Center, Discrete Semiconductor Division, Storage & Electronic Devices Solutions Company, Toshiba Corporation, Nomi, Ishikawa, Japan) ,  Shiraishi Tatsuya (Advanced Discrete Development Center, Discrete Semiconductor Division, Storage & Electronic Devices Solutions Company, Toshiba Corporation, Nomi, Ishikawa, Japan) ,  Fujita Tsuyoshi (Advanced Discrete Development Center, Discrete Semiconductor Division, Storage & Electronic Devices Solutions Company, Toshiba Corporation, Nomi, Ishikawa, Japan) ,  Ata Yoshifumi (Advanced Discrete Development Center, Discrete Semiconductor Division, Storage & Electronic Devices Solutions Company, Toshiba Corporation, Nomi, Ishikawa, Japan) ,  Kobayashi Kenya (Advanced Discrete Development Center, Discrete Semiconductor Division, Storage & Electronic Devices Solutions Company, Toshiba Corporation, Nomi, Ishikawa, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISPSD  ページ： 479-482  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電圧電力素子では,能動素子面積効率を改善するために,高アスペクト比ディープトレンチ終端技術を適用することにより,新しいエッジ終端構造を提示した。誘電体材料を充填した狭いトレンチは,電場緩和層だけでなく信頼性のある硬質不動態化としても作用する。この技術を用いることで,能動素子面積効率は500 600VにMOSFETのための高い信頼性と良好な動的特性を持つ96%まで最大化した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 硬質 ,  電場 ,  不動態化 ,  緩和現象 ,  MOSFET ,  信頼性 ,  *誘電体 ,  誘電材料
準シソーラス用語： 能動素子 ,  パワーデバイス ,  *トレンチ ,  *面積効率 ,  *高アスペクト比 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (10件)： 高アスペクト比 ,  高電圧 ,  面積効率 ,  体壁 ,  金型 ,  エッジ ,  周辺 ,  トレンチ ,  終端 ,  法