Jeon Heeyoung について
Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul, 133-791, South Korea について
Park Jingyu について
Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul, 133-791, South Korea について
Jang Woochool について
Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, 133-791, South Korea について
Kim Hyunjung について
Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul, 133-791, South Korea について
Lee Kunyoung について
Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, 133-791, South Korea について
Shin Changhee について
Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul, 133-791, South Korea について
Lee Jaemin について
Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul, 133-791, South Korea について
Jeon Hyeongtag について
Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul, 133-791, South Korea について
Jeon Hyeongtag について
Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, 133-791, South Korea について
Current Applied Physics について
コンプライアンス について
電圧 について
界面 について
X線光電子分光法 について
電流 について
酸素 について
チタン について
ナノシート について
非線形挙動 について
トンネル障壁 について
貯留層 について
窒化チタン について
導電性フィラメント について
酸素空格子点 について
抵抗スイッチング について
ナノ薄膜 について
抵抗スイッチング について
インタフェイス について
TaOx について
非線形 について
電流コンプライアンス について
記憶装置 について
半導体-金属接触 について
Ti について
ナノ層 について
抵抗スイッチング について
挙動 について