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J-GLOBAL ID：201702290890730752   整理番号：17A1967739

UV-A発光ダイオード中の逆方向漏れ電流の伝導機構に及ぼす定電流応力の影響【Powered by NICT】

Influence of constant current stress on the conduction mechanisms of reverse leakage current in UV-A light emitting diodes

著者 (8件)： Wang Yingzhe (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zheng Xuefeng (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Dai Feng (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Dai Feng (School of Mechano-electronic Engineering, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhu Jiaduo (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Li Peixian (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Ma Xiaohua (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Hao Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 112  ページ： 105-110  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： UV-Aスペクトル領域における紫外(UV)発光ダイオード(LED)の逆漏れ電流の伝導機構に及ぼす一定電流ストレスの影響を,370Kから55K以下で220Kまで温度に依存する電流-電圧測定を用いて初めて研究されてきた,UV-A LEDで支配的可変領域ホッピング機構。が,220K以上で,漏れ電流は 3~ 6Vのバイアス範囲内でPoole-Frenkel放出機構に起因すると考えられる逆バイアスの増加と共に,伝導機構はPoole-Frenkel放出から空間電荷制限伝導機構。特に,電気的ストレスをかけた7.5Vから6.5Vの遷移電圧の変化をもたらす応力は熱活性化エネルギーの減少につながる可能性があると,遷移電圧を変化させることを提案した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧 ,  電圧測定 ,  バイアス ,  スペクトル ,  *漏れ電流 ,  *発光ダイオード ,  *電流
準シソーラス用語： 熱活性化 ,  空間電荷制限伝導 ,  逆バイアス ,  可変領域ホッピング ,  電流ストレス ,  *伝導機構 ,  *UV-A , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： UV-A LED ,  伝導機構 ,  逆漏れ電流 ,  電気応力

分類 (4件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： UV-A ,  発光ダイオード ,  漏れ電流 ,  伝導 ,  応力