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J-GLOBAL ID：201702291010284327   整理番号：17A1359871

22nm高k/metalゲートトライゲートCMOSによるドミノ読出し,静的書込みおよび8t1R1W SRAMアレイの保持に及ぼす加齢のF_max/V_minと雑音余裕の影響【Powered by NICT】

F_max/V_min and noise margin impacts of aging on domino read, static write, and retention of 8T 1R1W SRAM arrays in 22nm high-k/metal-gate tri-gate CMOS

著者 (6件)： Kulkami Jaydeep P. (Circuit Research Lab, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Tokunaga Carlos (Circuit Research Lab, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Cho Minki (Circuit Research Lab, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Khellah Muhammad M. (Circuit Research Lab, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  Tschanz James W. (Circuit Research Lab, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA) ,  De Vivek K. (Circuit Research Lab, Intel Corporation, Hillsboro, OR, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： VLSI Technology  ページ： C116-C117  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プリチャージ評価ドミノ読み出しのF_maxと雑音余裕および示差静的書込みと保持のためのVMINに対する加齢の進行性影響を22nm高k/金属ゲートトライゲートCMOSにおける14kb1R1W8T SRAMアレイの動作寿命上の統計的測定により実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *SRAM ,  *雑音余裕 ,  *CMOS
準シソーラス用語： メタルゲート ,  プリチャージ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 老化と死  (EJ16040S) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゲート ,  トライゲート ,  CMOS ,  読出し ,  書込み ,  SRAMアレイ ,  加齢 ,  雑音余裕