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J-GLOBAL ID：201702291036394348   整理番号：17A1347666

ゲートCのための解析モデル UTB III V上の絶縁体MIS構造のI-V特性【Powered by NICT】

An Analytical Model for the Gate C-V Characteristics of UTB III-V-on-Insulator MIS Structure

著者 (5件)： Islam Muhammad Mainul (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering and Technology, Khulna, Bangladesh) ,  Alam Md. Nur Kutubul (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering and Technology, Khulna, Bangladesh) ,  Sarker Md. Shamim (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering and Technology, Khulna, Bangladesh) ,  Islam Md. Rafiqul (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering and Technology, Khulna, Bangladesh) ,  Haque Anisul (Department of Electrical and Electronic Engineering, East West University, Dhaka, Bangladesh)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 5  号： 5  ページ： 335-339  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超薄体III-Vオンインシュレータ(XOI)MIS構造のゲート容量-電圧特性のための物理ベース解析モデルを提案した。解析モデルの精度は,TCAD結果と比較することにより検証した。モデルは一般的であり,異なるIII-Vチャネル材料に適用可能である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MIS構造 ,  *電流電圧特性 ,  *モデル ,  *解析モデル ,  チャネル ,  *絶縁体
準シソーラス用語： TCAD ,  ゲート容量 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート ,  解析モデル ,  絶縁体 ,  MIS構造 ,  I-V特性