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J-GLOBAL ID:201702291129572112   整理番号:17A1169688

制御冷却によるアニーリング後の白金プロファイルから推定したシリコン自己格子間原子の性質【Powered by NICT】

Silicon self-interstitial properties deduced from platinum profiles after annealing with controlled cooling
著者 (4件):
資料名:
巻: 214  号:ページ: ROMBUNNO.201700207  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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シリコン中の白金拡散の実験をシリコン自己格子間原子の平衡濃度についての情報を抽出するために用いた。これらの実験では,白金シリサイドから駆動され,温度は一定温度での主アニーリングプロセス後に種々の冷却速度で傾斜された。シミュレーションはバルク領域中の置換型白金の濃度がある範囲内の自己格子間原子の平衡濃度の値に敏感であることを示した。著者らの測定に基づいた830°Cでのパラメータの上限を決定することが可能であった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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半導体の格子欠陥  ,  固体中の拡散一般 

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