Kong Xiangting について
Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China について
Liang Renrong について
Tsinghua National Laboratory for information Science and Technology, Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China について
Zhou Xuliang について
Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China について
Li Shiyan について
Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China について
Wang Mengqi について
Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China について
Liu Honggang について
Microwave Device and IC Department, Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics, Beijing, China について
Wang Jing について
Tsinghua National Laboratory for information Science and Technology, Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China について
Wang Wei について
Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China について
Pan Jiaoqing について
Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China について
IEEE Transactions on Electron Devices について
ヒ化ガリウム について
基板 について
ヒ化ガリウムインジウム について
論理回路 について
論理素子 について
MOSFET について
半導体材料 について
ケイ素合金 について
化合物半導体 について
MOCVD について
表面準位 について
移動度 について
GaAs について
GaAs基板 について
III-V半導体 について
InGaAs について
SiGe について
SiGe合金 について
ロジックゲート について
界面準位 について
トランジスタ について
GaAs基板 について
チャネル について
MOSFET について
移動度 について