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J-GLOBAL ID：201702291264463118   整理番号：17A1345136

AlInN/GaNにおけるゲート漏れ機構とAlGaN/GaN MIS-HEMTとそのモデル化【Powered by NICT】

Gate Leakage Mechanisms in AlInN/GaN and AlGaN/GaN MIS-HEMTs and Its Modeling

著者 (3件)： Dutta Gourab (Department of Electrical Engineering, Microelectronics and MEMS Laboratory, IIT Madras, Chennai, India) ,  DasGupta Nandita (Department of Electrical Engineering, Microelectronics and MEMS Laboratory, IIT Madras, Chennai, India) ,  DasGupta Amitava (Department of Electrical Engineering, Microelectronics and MEMS Laboratory, IIT Madras, Chennai, India)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 9  ページ： 3609-3615  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート誘電体としてSiN_xのAlInN/GaNとAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体高電子移動度トランジスタ(MIS HEMTs)におけるゲート漏れ機構を調べた。逆ゲートバイアスの伝導はMIS-HEMTのPoole-Frenkel放出に起因することが分かった。低から中程度の順方向バイアスにおける支配的な伝導機構はトラップ支援トンネリングは,高い順方向バイアスでのFowler-Nordheimトンネリングである。しかし,零ゲートバイアス近傍の伝導はMIS-HEMTの両セットのための欠陥支援トンネリングにより支配されている。ゲート漏れ電流は,主にゲート誘電体材料と誘電体/半導体界面よりもむしろ障壁層の特性に依存している。GaN系MIS-HEMTにおけるゲート漏れ電流のために提案したモデルと,関連するモデルパラメータを抽出する方法を本論文で提示した。提案したゲート電流モデルは,ゲートバイアスと測定温度の広い範囲にわたってAlInN/GaNとAlGaN/GaN MIS-HEMTの両方に対する実験結果と良く一致した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  トンネル効果 ,  *モデリング ,  界面 ,  *窒化ガリウム ,  Fowler-Nordheimトンネリング ,  ゲート絶縁膜 ,  バイアス ,  *HEMT ,  絶縁体
準シソーラス用語： ゲート電流 ,  バリア層 ,  ゲート漏れ電流 ,  ゲートバイアス ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  ゲート ,  AlGaN ,  MIS ,  HEMT ,  モデル化