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J-GLOBAL ID：201702291456134235   整理番号：17A1170528

III-窒化物MOVPE条件下でのサファイア基板温度の測定と熱的モデリング【Powered by NICT】

Measurement and thermal modeling of sapphire substrate temperature at III-Nitride MOVPE conditions

著者 (3件)： Creighton J. Randall (JR Creighton Consulting, 4005 Embudito Dr. NE, Albuquerque, NM 87111, United States) ,  Coltrin Michael E. (Sandia National Laboratories, P.O. Box 5800, MS-1086, Albuquerque, NM 87185, United States) ,  Figiel Jeffrey J. (Sandia National Laboratories, P.O. Box 5800, MS-1086, Albuquerque, NM 87185, United States)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 464  ページ： 132-137  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOVPEにより成長させたAlGaNの成長率と合金組成は気相寄生化学プロセスの存在のためにしばしば非常に温度依存性であった。これらのプロセスは,ウエハ温度測定は非常に重要になっているが,実際に従来の高温計は放射を検出するそのような測定は近赤外(900nm)における基質透明性のために非常に困難である。サファイアである不透明,透明性問題は波長(7500nm)で動作する中赤外高温計を用いて解くことができる。ウエハポケット温度を測定するためのサファイアウエハ温度と近赤外高温計を同時に測定するための中赤外高温計,N_2とH_2雰囲気中での原子炉圧力を変化させた。1300°C付近では,反応器圧力が300Torr10Torrから下げるとウエハ温度は劇的に低下し,ポケットとウエハとの間のΔTは約20°Cから250°Cまで増加した。中赤外高温計なし圧力により大きくウエハ温度変化は注目されなかったであろう。この挙動を説明するために,圧力に依存する熱接触抵抗の適切な説明を含み,またサファイア光透過を考慮した準二次元熱モデルを開発した。モデルと実験結果は,ほとんどの成長条件での熱の大部分はガス伝導によるウエハポケットから輸送されたウエハに,自由分子流限界であることを示した。この限界では,ガス伝導率はギャップサイズが,圧力の一次に依存せず,20~300Torrまで結果を定量的に説明することができる。更なる分析は,熱的適応係数の測定を与えα(H_2)=0.23,α(N_2)=0.50,範囲を典型的に測定した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 温度測定 ,  光透過 ,  気相 ,  *窒化物 ,  反応器 ,  *サファイア ,  *MOCVD ,  温度変動 ,  近赤外線 ,  波長 ,  温度依存性 ,  接触抵抗 ,  基質
準シソーラス用語： 透明性 ,  高温計 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A3有機金属気相エピタクシー ,  A3有機金属化学蒸着 ,  A3有機金属気相エピタクシー ,  A1熱伝達 ,  B1窒化物

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒化物 ,  MOVPE ,  サファイア ,  基板温度 ,  熱的モデリング