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J-GLOBAL ID:201702291629709457   整理番号:17A0575022

ケイ素二重量子ドットの準位スペクトルおよび電荷緩和の二重ゲート反射測定による検出

Level Spectrum and Charge Relaxation in a Silicon Double Quantum Dot Probed by Dual-Gate Reflectometry
著者 (19件):
資料名:
巻: 17  号:ページ: 1001-1006  発行年: 2017年02月 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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金属酸化物-半導体二重ゲートケイ素トランジスタの低温二重量子ドット素子としての動作における二重ゲート反射測定を報告した。反射測定装置は個別に二つのゲート電極に結合された二つのラジオ周波数共振器からなる。それらの分散応答の同時測定によって素子の完全な電荷安定性状態図を求めた。二つの量子ドットの間の電子遷移および各量子ドットとソースまたはドレインとの接触を反射ラジオ周波数シグナルの位相シフトによって検出した。有限バイアスにおいて反射測定は励起量子ドット状態への電荷遷移の検出を可能にし,従って量子ドットのエネルギー準位スペクトルへの直接アクセスを可能にした。興味あることに二つのドットを横ぎる電子輸送の存在においてドット間遷移の反射測定符号はディップ-ピーク構造を示し,二重量子ドットにおける電荷緩和速度に関する定量的情報をあたえた。
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ  ,  固-固界面 

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