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J-GLOBAL ID：201702291638242112   整理番号：17A1033493

16nm FinFET RISCプロセッサのための多電圧と適応電圧スケーリング技術の新しいアプローチ【Powered by NICT】

A new approach of multi voltage and adaptive voltage scaling techniques for 16 nm FinFET RISC processor

著者 (6件)： Babayan Davit (National polytechnic university of Armenia, Synopsys Armenia CJSC) ,  Babayan Eduard (National polytechnic university of Armenia, Synopsys Armenia CJSC) ,  Antonyan Sevak (National polytechnic university of Armenia, Synopsys Armenia CJSC) ,  Salmasyan Ani (National polytechnic university of Armenia, Synopsys Armenia CJSC) ,  Kagramanyan Emil (National polytechnic university of Armenia, Synopsys Armenia CJSC) ,  Avetisyan Aram (National polytechnic university of Armenia, Synopsys Armenia CJSC)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ELNANO  ページ： 128-131  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在16nm以下のようなディープサブミクロン技術における,携帯機器の要求はCMOS回路とシステムの低電力設計に対する設計者の注意を集中させ,種々の低消費電力技術を用いた,動的および/または漏れ電力を減少させるために試みた。広く採用されている電力最適化方法の一つは,複数電圧設計,ICを分割する電圧ICドメインに電力を低減するために使用されている。「n」異なる供給電圧で「n」電圧ドメインを使用し,それを一般化する,マルチ電圧設計技術の新しいアプローチ,プロセッサのようなディジタルシステムの効率的な電力削減を提供した。基本的に,電位領域は,適応電圧スケーリングの修正版を添加したプロセッサのサブモジュールと一致した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電圧 ,  ディジタル系 ,  *演算プロセッサ ,  電力 ,  電位
準シソーラス用語： 供給電圧 ,  電力最適化 ,  漏れ電力 ,  低電力化 ,  CMOS集積回路 ,  携帯機器 ,  ディープサブミクロン ,  *電圧スケーリング ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 集積回路一般  (NC03161C) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  オペレーティングシステム  (JD03020J) ,  ディジタル計算機ハードウェア一般  (JC04010C) ,  その他のディジタル計算機装置  (JC04070Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： FinFET ,  RISC ,  プロセッサ ,  適応 ,  電圧スケーリング