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J-GLOBAL ID：201702291646324821   整理番号：17A0214328

負性静電容量FinFETのコンパクトモデル:集中および分散電荷モデル【Powered by NICT】

Compact models of negative-capacitance FinFETs: Lumped and distributed charge models

著者 (8件)： Duarte Juan P. (Dept. of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley) ,  Khandelwal Sourabh (Dept. of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley) ,  Khan Asif I. (Dept. of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley) ,  Sachid Angada (Dept. of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley) ,  Lin Yen-Kai (Dept. of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley) ,  Chang Huan-Lin (Dept. of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley) ,  Salahuddin Sayeef (Dept. of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley) ,  Hu Chenming (Dept. of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 30.5.1-30.5.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,そのシミュレーションのための集中と分散コンパクトモデルを提案することにより,強誘電ベース負性容量FinFET(NC FinFETs)の素子物理学と挙動への洞察を提示した。NC FinFETは強誘電性(FE)と誘電体層の間に浮遊金属を有し,集中電荷モデルはこのようなデバイスである。浮遊金属なしのNC FinFETに対して,分布した電荷モデルを使用すべきであるとチャネルの各点で強誘電体層は局所チャネル電荷に影響を与えるであろう。分散効果を本論文で示されたようにデバイス特性に重要な意味を持っている。提案したコンパクトモデルは,NC FinFET技術に基づく回路を探索するための回路シミュレータで実行した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 強誘電性 ,  強誘電体 ,  誘電体 ,  浮遊 ,  *電荷 ,  チャネル
準シソーラス用語： 回路シミュレータ ,  デバイス特性 ,  *コンパクトモデル ,  *FinFET ,  *ネガティブキャパシタンス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 負性静電容量 ,  FinFET ,  コンパクトモデル ,  電荷 ,  モデル