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J-GLOBAL ID：201702291684665936   整理番号：17A1637540

理論説明とFIB&TEM利用法【Powered by NICT】

FIB & TEM application methods with related theory explanations

著者 (6件)： Xie Lingzhi (Semiconductor Manufacturing International Corporation, Shenzhen 518118, China) ,  Zheng Sunday (Semiconductor Manufacturing International Corporation, Shenzhen 518118, China) ,  Lee J. H. (Semiconductor Manufacturing International Corporation, Shenzhen 518118, China) ,  Li Ming (Semiconductor Manufacturing International Corporation, Shenzhen 518118, China) ,  Zhang Mark (Semiconductor Manufacturing International Corporation, Shenzhen 518118, China) ,  Chien Kary (Semiconductor Manufacturing International Corporation, Shenzhen 518118, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IPFA  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体鋳造工業における故障解析機能の重要な一環として,TEM微地形がますます重要になっているが,半導体デバイスの限界寸法が小さくなると小さかった。FIB/TEM試料調製法は高品質のTEM画像を達成するための最優先事項を示した。通常FIB演算子はFIB/TEM試料の品質管理に必要なFIB操作技術など試料の曲げ,貧弱な厚さ均一性,過剰な非晶質化,試料汚染のようなサンプルの欠陥を回避しなければならない。本稿では,FIBビームが試料表面にどのように作用するかを説明するために理論を導入し,ヘッジ試料欠陥にいくつかのFIBミリングトリックを提供するであろう。理論と裏技は,この論文で説明する変形からのTEM試料を保護するためにFIBビームエネルギーのGauss分布,FIBビームスポットの非対称変形といくつかの合理的なFIBミリング手法を含んでいる。応用理論と技術の全てが二重ビームFIB装置システムに基づいて記述した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  故障解析 ,  品質管理 ,  画像 ,  鋳造工業 ,  試料調製 ,  非対称性 ,  半導体素子 ,  正規分布 ,  *アモルファス化
準シソーラス用語： ビームスポット ,  高品質 ,  微地形 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (2件)： 理論 ,  説明