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J-GLOBAL ID：201702291712023584   整理番号：17A1250065

電荷トラッピング/デトラッピングによって誘起された抵抗スイッチング:ある種のNb:SrTiO_3ベースヘテロ接合における巨大電気抵抗のための統一機構【Powered by NICT】

Resistive switching induced by charge trapping/detrapping: a unified mechanism for colossal electroresistance in certain Nb:SrTiO₃-based heterojunctions

著者 (17件)： Fan Zhen (Institute for Advanced Materials (IAM) and Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Fan Hua ,  Yang Lin ,  Li Peilian ,  Lu Zengxing ,  Tian Guo ,  Huang Zhifeng ,  Li Zhongwen ,  Yao Junxiang ,  Luo Qiuyuan ,  Chen Chao ,  Chen Deyang ,  Yan Zhibo ,  Zeng Min ,  Lu Xubing ,  Gao Xingsen ,  Liu Jun-Ming
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 29  ページ： 7317-7327  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SrTiO_3は酸化物エレクトロニクスに関する研究のコアで残り,その魅力的な特性と市販基質として広い応用のために。NbドープSrTiO_3(NSTO)に基づくヘテロ接合,金属/NSTOのSchottky接合(MSJs)とNSTOベース強誘電トンネル接合(FTJs)の両方を含む巨大電気抵抗(CER)効果のためにかなりの関心を集めている。しかし,CER効果を支持する機構はまだ十分に理解されていない。,Au/NSTO MSJsとAu/BaTiO_3nsto FTJsにおけるCER効果に関する比較研究を行った。二種類のヘテロ接合は抵抗スイッチング特性における多くの類似性,非対称形状のヒステリシス電流-電圧曲線,臨界スイッチング磁場の欠如,~1.0μsのスイッチング時間,とCurie-von Schweidler型の抵抗緩和を示した。これらの結果を,走査Kelvinプローブ顕微鏡により明らかにされた更なるとして,すなわち,電荷トラッピング/脱トラッピング,MSJsとFTJsにおけるCER効果は共通の起源を持つことを示唆した。温度依存電流-電圧,容量-電圧および光応答測定を用いて,電荷捕獲/放出はSchottky障壁プロファイルとトンネル過程の両方を変化させ,異なる電圧領域における異なる輸送機構につながる可能性があることを示した。電荷trapping/detrapping誘導CER効果は金属-絶縁体-半導体(MIS)モデル,電圧掃引の広い範囲でヒステリシス電流-電圧曲線を再現良くによってよく記述でき,あるNSTOベースヘテロ接合におけるCER効果のための統一された枠組みを提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  半導体 ,  曲線 ,  Schottky障壁 ,  ヒステリシス ,  トンネル接合 ,  *電荷 ,  電流 ,  温度依存性 ,  電圧 ,  ドーピング
準シソーラス用語： 光応答 ,  *抵抗スイッチング ,  *トラッピング ,  *電荷捕獲 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電荷トラッピング ,  誘起 ,  抵抗スイッチング ,  種 ,  Nb ,  ヘテロ接合 ,  電気抵抗