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J-GLOBAL ID：201702291725035574   整理番号：17A0759460

カンチレバーエピタクシーによりナノパターン化したSi基板上の厚いAlN層の直接成長【Powered by NICT】

Direct growth of thick AlN layers on nanopatterned Si substrates by cantilever epitaxy

著者 (8件)： Demir Ilkay (Center for Quantum Devices, Department of Electrical Engineering and Computer Science, Northwestern University, Evanston, IL, 60208-0893, USA) ,  Demir Ilkay (Department of Nanotechnology Engineering, Cumhuriyet University, 58140 Sivas, Turkey) ,  Robin Yoann (Center for Quantum Devices, Department of Electrical Engineering and Computer Science, Northwestern University, Evanston, IL, 60208-0893, USA) ,  McClintock Ryan (Center for Quantum Devices, Department of Electrical Engineering and Computer Science, Northwestern University, Evanston, IL, 60208-0893, USA) ,  Elagoz Sezai (Department of Nanotechnology Engineering, Cumhuriyet University, 58140 Sivas, Turkey) ,  Zekentes Konstantinos (Center for Quantum Devices, Department of Electrical Engineering and Computer Science, Northwestern University, Evanston, IL, 60208-0893, USA) ,  Zekentes Konstantinos (Foundation for Research & Technology-Hellas (FORTH), IESL, 1527 Heraklion, Greece) ,  Razeghi Manijeh (Center for Quantum Devices, Department of Electrical Engineering and Computer Science, Northwestern University, Evanston, IL, 60208-0893, USA)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 4  ページ： ROMBUNNO.201600363  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlN層はカンチレバーエピタクシーによりナノパターン化したSi(111)基板の200nm周期上に成長させ,マイクロパターン化Si(111)基板上にマスクレス横方向エピタキシャル被覆成長(LEO)により成長させたAlN層と比較した。LEOで成長させた5 10μm厚AlNの材料品質がナノパターン化基板上にカンチレバーエピタクシーによって成長させた非常に薄い層(2 μm)のそれに匹敵する。,後者は根平均二乗(RMS)粗さが0.65nm(10 15)反射に沿った(0002)反射と930arcsecに沿って710arcsecの半値全幅(FWHM)でのX線回折半値幅を示した。対応する室温光ルミネセンススペクトルは,鋭いバンド端ピークが支配的であった。逆発光紫外発光ダイオード(UV LEDs)を,パターン化したAlNヒートシンクに続く完全なSi(111)基板除去344nmピーク発光波長で~0.7mWのピークパルスパワーを示すことによりにフリップチップボンディングにより作製した。実証したUV LEDは,3.3μmの全厚をもつナノパターン化したSi基板上に成長させた費用対効果の高いエピタキシャル構造上に作製した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *パターン形成 ,  FWHM ,  ヒートシンク ,  X線回折 ,  発光ダイオード ,  発光 ,  波長 ,  *エピタクシー ,  MOCVD ,  表面粗さ ,  *窒化アルミニウム
準シソーラス用語： 光ルミネセンススペクトル ,  シリコン(111) ,  *シリコンウエハ ,  *ナノパターン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： AlN ,  カンチレバーエピタクシー ,  発光ダイオード ,  MOCVD ,  nanopatterning ,  シリコン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノパターン ,  Si基板 ,  AlN ,  成長