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J-GLOBAL ID：201702291732933143   整理番号：17A1345187

平均熱伝導率を用いたオンウエハSiGeH BTの熱抵抗の正確なモデル化【Powered by NICT】

Accurate Modeling of Thermal Resistance for On-Wafer SiGe HBTs Using Average Thermal Conductivity

著者 (6件)： Balanethiram Suresh (IMS Laboratory, University of Bordeaux, Bordeaux, France) ,  Chakravorty Anjan (Department of Electrical Engineering, IIT Madras, Chennai, India) ,  D’Esposito Rosario (IMS Laboratory, University of Bordeaux, Bordeaux, France) ,  Fregonese Sebastien (IMS Laboratory, University of Bordeaux, Bordeaux, France) ,  Celi Didier (STMicroelectronics, Crolles, France) ,  Zimmer Thomas (IMS Laboratory, University of Bordeaux, Bordeaux, France)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 9  ページ： 3955-3960  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バックエンドオブライン(BEOL)金属層を含むシリコン-ゲルマニウムヘテロ接合バイポーラトランジスタ(SiGe HBTs)の接合温度と熱抵抗を推定するための提案した正確な解析モデル。熱抵抗の温度依存性を含めるために,モデルは,熱伝導率の平均値を用いた。モデルで使用される熱伝導率とBEOL熱抵抗に対応するパラメータは最近報告された方法論に従って抽出した。提案したモデルは本質的にスケーラブルであり,実験データによる検証は,STMicroelectronics B9MW技術で製作したSiGeH BTの異なるエミッタ形状にわたって優れた精度を示した。コンパクトモデルシミュレーションは,提案したモデルが既存の最先端反復法と比較して約23%迅速にシミュレートする。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *モデリング ,  解析モデル ,  温度依存性 ,  *熱伝導率 ,  HBT【トランジスタ】 ,  逐次近似 ,  *熱抵抗
準シソーラス用語： 最先端 ,  接合温度 ,  BEOL , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 平均 ,  熱伝導率 ,  BT ,  熱抵抗 ,  モデル化