Xu Dong について
Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA について
Chu Kanin について
Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA について
Diaz Jose A. について
Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA について
Ashman Michael D. について
Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA について
Komiak J. J. について
Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA について
Mt. Pleasant Louis M. について
Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA について
Vera Alice について
Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA について
Seekell Philip について
Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA について
Yang Xiaoping について
Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA について
Creamer Carlton について
Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA について
Nichols K. B. について
Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA について
Duh K. H. George について
Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA について
Smith Phillip M. について
Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA について
Chao P. C. について
Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA について
Dong Lin について
School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA について
Ye Peide D. について
School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA について
IEEE Transactions on Electron Devices について
酸化アルミニウム について
エッチング について
HEMT について
不動態化 について
ケイ素化合物 について
化合物半導体 について
MMIC について
電力増幅器 について
化学蒸着 について
プラズマCVD について
素子構造 について
窒化アルミニウム について
窒化ガリウム について
ALD【蒸着】 について
GaN について
III-V半導体 について
InAlN について
PECVD について
シリコン化合物 について
パッシベーション について
パワーアンプ について
リセス構造 について
ワイドバンドギャップ半導体 について
トランジスタ について
増幅回路 について
パワーアンプ について
InAlN について
GaN について
高電子移動度トランジスタ について
パシベーション について
ゲート について