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J-GLOBAL ID：201702291880553686   整理番号：17A1465163

N_2OガスによるSi(100)上の酸窒化反応速度論における温度と圧力の影響【Powered by NICT】

Effects of temperature and pressure in oxynitridation kinetics on Si(100) with N₂O gas

著者 (4件)： Enta Yoshiharu (Graduate School of Science and Technology, Hirosaki University, 3 Bunkyo-cho, Hirosaki 036-8561, Japan) ,  Wada Makoto (Graduate School of Science and Technology, Hirosaki University, 3 Bunkyo-cho, Hirosaki 036-8561, Japan) ,  Arita Mariko (Graduate School of Science and Technology, Hirosaki University, 3 Bunkyo-cho, Hirosaki 036-8561, Japan) ,  Takami Takahiro (Graduate School of Science and Technology, Hirosaki University, 3 Bunkyo-cho, Hirosaki 036-8561, Japan)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 70  ページ： 63-67  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広い範囲の基板温度(600 1000°C)とN_2O圧力(10~ 2 10~2 Pa)における亜酸化窒素(N_2O)ガスを用いたSi(100)表面の酸窒化を研究した。酸窒化層の成長速度と原子組成をその場X線光電子分光法により測定した。酸窒化物層の表面形態を走査電子顕微鏡で観察した。結果は,より高いN_2O圧力(>1Pa)領域では,窒化反応は酸化物層が表面上に形成する迅速により抑制されることを示した。一方,低い圧力(<1Pa)及びより高い基板温度(>900°C)領域では,窒化反応は,活性酸化(エッチング反応),表面粗さを引き起こすのために発生した。Arイオンスパッタリング-測定により発見された窒化層は,減少したN_2O圧力での表面近傍でのみ存在する局所的にした。酸窒化速度論定性的および酸窒化物層を成長させるための効果的な条件を検討した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： エッチング ,  X線光電子分光法 ,  *窒化 ,  基板温度 ,  イオンビームスパッタリング ,  酸化二窒素 ,  窒化層 ,  *反応速度論 ,  酸化 ,  成長速度 ,  走査電子顕微鏡 ,  表面形態 ,  オキシナイトライド ,  *酸窒化 ,  *シリコン(100) ,  *改変

著者キーワード (6件)： 酸化窒化けい素 ,  亜酸化窒素 ,  Oxynitridation ,  光電子分光 ,  反応速度論 ,  Si(100)

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  酸窒化 ,  反応速度論