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J-GLOBAL ID：201702292007417322   整理番号：17A0144075

InAlN/GaNH EMT技術を用いたKaバンドLNAにおけるRFステップストレスにより誘導された自己バイアス効果【Powered by NICT】

Self-biasing effects induced by RF step-stress in Ka-band LNAs based on InAlN/GaN HEMT technology

著者 (4件)： Tartarin J.G. (LAAS-CNRS and University of Toulouse (UPS), F31-031, Toulouse, France) ,  Nsele S.D. (LAAS-CNRS and University of Toulouse (UPS), F31-031, Toulouse, France) ,  Piotrowicz S. (Thales Research Technology, III-V Lab, Palaiseau, France) ,  Delage S. (Thales Research Technology, III-V Lab, Palaiseau, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EuMC  ページ： 1409-1412  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化技術は高周波数で高出力モジュールが,ロバストな低雑音受信機に対処するために多種多様な能動素子を提案した。高電子移動度トランジスタ(HEMT)は,基本的にAlGaN/GaNヘテロ構造上に開発されているが,InAlN/GaN代替案は,チャネル(2DEG)が発生する層の間の界面での格子整合層(In含有量の17%を用いた),および2DEGにおける良好な移動度に起因して非常に有望と思われる。本論文では,研究の下での単一段階バージョンのための29~30.5GHz間で, 3.3dBのKaバンド低雑音増幅器を特徴とする雑音指数に関する研究を提示した。RF段階応力とCW応力は四種類のLNAに適用し,能動素子における電荷の変動を明らかにした。HEMTの自己バイアスを強調し,59GHzで2~次高調波の評価により評価した。初期雑音と動的性能は,RF信号を持つ長い期間の後に,またはトランジスタのゲート領域下で電荷を除去するためのゲートに正電圧を印加することにより完全に回復することができない。雑音指数LNAの安定性に関するこれらの結果はジャミング信号は,GaNベースの受信機に無害化できることを証明した,いくつかのより多くの改善は,これらの未成熟技術で達成されなければならない。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： HF【周波数】 ,  高調波 ,  移動度 ,  雑音 ,  二次元電子ガス ,  低雑音増幅器 ,  *窒化ガリウム ,  ロバスト性 ,  HEMT ,  雑音指数
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  能動素子 ,  低雑音 ,  *自己バイアス ,  *Kaバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： InAlN ,  EMT ,  Kaバンド ,  LNA ,  RF ,  ストレス ,  誘導 ,  自己バイアス