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J-GLOBAL ID：201702292084420736   整理番号：17A1380871

抵抗変化型不揮発性メモリ応用のためのCu/AlN/Pt構造におけるバイポーラ抵抗スイッチング挙動【Powered by NICT】

Bipolar resistive switching behavior in Cu/AlN/Pt structure for ReRAM application

著者 (2件)： Prakash Ravi (Functional Nanomaterials Research Lab, Department of Physics and Centre for Nanotechnology, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee 247667, Uttarakhand, India) ,  Kaur Davinder (Functional Nanomaterials Research Lab, Department of Physics and Centre for Nanotechnology, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee 247667, Uttarakhand, India)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 143  ページ： 102-105  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu(トップ)およびPt(ボトム)電極の間にサンドイッチされた窒化アルミニウム(AlN)薄膜の高度に安定なバイポーラ抵抗スイッチング挙動を調べた。Cu/AlN/Pt構造における抵抗スイッチング特性は,AlN薄膜におけるCu導電性フィラメントの形成/破壊によって誘起された。2.6V, 1.7Vトラップ制御空間電荷制限電流(SCLC)の電圧で観察された優れた不揮発性抵抗スイッチング特性とオーミック挙動がそれぞれ高抵抗状態(HRS)と低抵抗状態(LRS)での支配的伝導機構である。異なるHRSとLRSに対応する抵抗比は~10~4の順であることが分かった。さらに,デバイスは,>10~4サイクルと>10~4sのための非揮発性保持時間まで耐久性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  保持時間 ,  *銅 ,  *非揮発性 ,  耐久性 ,  *不揮発性メモリ ,  空間電荷制限電流 ,  薄膜 ,  電圧
準シソーラス用語： 伝導機構 ,  スイッチング特性 ,  導電性フィラメント ,  *抵抗スイッチング ,  *抵抗変化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 電気的性質 ,  薄膜 ,  スパッタリング

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (9件)： 抵抗変化 ,  不揮発性メモリ ,  応用 ,  Cu ,  AlN ,  Pt ,  バイポーラ ,  抵抗スイッチング ,  挙動