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J-GLOBAL ID：201702293977225597   整理番号：17A0640864

Cu-SiO₂-p-InSb MIS構造の容量電圧特性の特徴

Specific Features of the Capacitance-Voltage Characteristics of a Cu-SiO₂-p-InSb MIS Structure

著者 (6件)： ALIEV R. A. (Dagestan Scientific Center, Russian Acad. Sci., Makhachkala, RUS) ,  GAJIEV G. M. (Dagestan Scientific Center, Russian Acad. Sci., Makhachkala, RUS) ,  GADZHIALIEV M. M. (Dagestan Scientific Center, Russian Acad. Sci., Makhachkala, RUS) ,  ISMAILOV A. M. (Dagestan Scientific Center, Russian Acad. Sci., Makhachkala, RUS) ,  ISMAILOV A. M. (Dagestan State Univ., Makhachkala, RUS) ,  PIRMAGOMEDOV Z. Sh. (Dagestan Scientific Center, Russian Acad. Sci., Makhachkala, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 3  ページ： 367-369  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InSbベースのMIS構造の容量電圧およびコンダクタンス-電圧特性をプローブ信号周波数を変えながら測ったが,その目的はこれら構造の容量特性への合成技術条件が及ぼす絶縁体中に組み込まれた正の電荷が試料特性に与える影響を調べる点にある。この取り込まれた界面電荷は同じバッチの試料間にも特性の大きな違いをもたらす。低電場(E<10⁶V/cm)外部信号の極性変化による鋭い静電容量の切り替えに上記の影響が見て取れる。周波数特性においては容量とインダクタンスの相互の絡みが無視できない。

シソーラス用語： *アンチモン化インジウム ,  *容量電圧特性 ,  *銅 ,  *表面電荷 ,  インダクタンス ,  電荷 ,  *二酸化ケイ素 ,  *MIS構造 ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： 正電荷

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： Cu ,  SiO2 ,  InSb ,  MIS構造 ,  容量電圧特性