3次元パッケージングのための最終リソグラフィーによるSiのオーバレイ性能【Powered by NICT】

Flack Warren W.; Hsieh Robert; Kenyon Gareth; Slabbekoorn John; Czarnecki Piotr; Tobback Bert; Van Huylenbroeck Stefaan; Stucchi Michele; Vandeweyer Tom; Miller Andy

文献

J-GLOBAL ID：201702294850115846 整理番号：17A0329165

3次元パッケージングのための最終リソグラフィーによるSiのオーバレイ性能【Powered by NICT】

Overlay performance of through Si via last lithography for 3D packaging

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資料名：
巻： 2016 号： EPTC ページ： 564-568 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

前縁装置の鋳造顧客とメーカは次世代三次元(3D)パッケージングのためのスルーシリコンビア(TSV)を評価した。TSVの直径のスケーリングシステム性能とコストを改善するための主要因である。小さいTSV直径を用いて,着陸による初めての金属レベルに及ぼすパッドは,TSVの臨界次元(CD),オーバレイ変動の両方を含むのに十分な大きさでなければならないので,前後逆のオーバレイが重要なパラメータとなっている。本論文では,5μmと小さいTSV特徴を印刷するための二重側配向(DSA)リソグラフィシステムの長期性能を調べた。DSAリソグラフィーを用いたTSV特徴をパターン化するために,ステップ自己計測(SSM)は,フォトレジスト現像後のオーバレイを検証するために行った。ロット当りのウエハと多重ウエハ当たり多重ステップリソグラフィー場はウエハロットオーバーレイ解析のための統計的に有意なデータセットを得るために測定した。添加では,複数ウエハロットを処理し,測定した長期オーバレイ性能と安定性を確立した。SSMオーバレイデータをそれぞれ独立に検証するために,専用の電気的構造を介した最終TSV試験チップ上に設計し,設置した。これらの構造は,TSV直径とTSVオーバレイは多く完了後の電気的に測定することができた。ベクトルプロットを用いてSSMオーバレイと電気オーバレイデータを比較した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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固体デバイス製造技術一般

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