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J-GLOBAL ID：201702295142645621   整理番号：17A0842631

超薄無機a-InGaZnO薄膜トランジスタにおける非理想電流降下挙動

Non-ideal current drop behavior in ultra-thin inorganic a-InGaZnO thin film transistors

著者 (8件)： KANG Won Jun (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  KIM Kyung Su (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  AHN Cheol Hyoun (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  CHO Sung Woon (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  KIM Da Eun (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  KIM Bora (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  CHO Hyung Koun (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  KIM Yunseok (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 11  ページ： 8231-8237  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 柔軟及び微細な電子デバイスにおける最近の主な研究は,無機アモルファス酸化物に基づく薄膜トランジスタ(TFT)の頑丈なチャネル材料と適切なプロセス開発であった。高性能超薄柔軟性エレクトロニクスのための平滑な表面を持つ高分子被覆の重要性を実証した。浮遊プロセスを用いて,超薄パリレン高分子上に高い電気性能を持つa-InGaZnO TFTを作製した。CVD被覆パリレン表面への紫外/オゾン処理の助けを借りて,~5μmのデバイス厚みと~5g/cm²の低い面積質量密度を持つa-InGaZnOは,かなり良好なトランジスタ特性,即ち,高移動度,高オン/オフ比及び低い動作電圧を示した。特に,極端に軽いa-InGaZnO TFTは,紫外/オゾン処理によって表面粗さが改善され,負ゲートバイアスストレス(NBS)及び負ゲートバイアス光照射(NBIS)試験において典型的な酸化物TFT挙動を実証した。これは,処理を行わないa-InGaZnOがオン電流と移動度の異常な降下を示すのとは反対である。この結果から,パリレン表面の紫外/オゾン処理は,未来の超軽量及び柔軟性エレクトロニクスのための本質的なアプローチであることが示唆される。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *電流 ,  *下降 ,  超薄膜 ,  無機材料 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  電流電圧特性 ,  走査電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  ポリキシリレン ,  化学蒸着 ,  表面粗さ
準シソーラス用語： Parylene ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： トランジスタ ,  降下 ,  挙動