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J-GLOBAL ID：201702295232042683   整理番号：17A1619716

ゼロバイアス動作InP/InGaAsフェルミレベル制御バリアダイオードによるテラヘルツ波の低雑音ホモダイン検出

Low noise homodyne detection of terahertz waves by zero-biased InP/InGaAs Fermi-level managed barrier diode

著者 (3件)： Ito Hiroshi (Center for Natural Sciences, Kitasato University) ,  Ito Hiroshi (Graduate School of Medical Sciences, Kitasato University) ,  Ishibashi Tadao (NTT Electronics Techno Co.)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 14  号： 18  ページ： 20170722(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゼロバイアス動作フェルミレベル制御バリアダイオード(FMB)によるテラヘルツ(THz)波のホモダイン検出法の研究が,ミクシング検出における基本特性を明らかにするために,初めて行われた。周波数300GHzにおける,5 × 10^-7 Wという非常に低い局所発振パワー時において,ノイズ等価電力として1.6 × 10^-17W/√Hzという最も低い値が観測された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *検出 ,  *同期検波 ,  リン化インジウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  *ダイオード ,  雑音
準シソーラス用語： InGaAs ,  InP ,  *テラヘルツ光検出 ,  *ホモダイン検出法 ,  低雑音

著者キーワード (3件)： THz wave ,  homodyne detection ,  noise equivalent power

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

引用文献 (11件)：

• [1] T. W. Croweet al.: “GaAs Schottky diodes for THz mixing applications,” Proc. IEEE 80 (1992) 1827 (DOI: 10.1109/5.175258).
• [2] P. H. Siegel and R. J. Dengler: “Terahertz heterodyne imaging part I: Introduction and techniques,” Int. J. Infrared Millim. Waves 27 (2006) 465 (DOI: 10.1007/s10762-006-9103-x).
• [3] F. Sizov and A. Rogalski: “THz detectors,” Prog. Quantum Electron. 34 (2010) 278 (DOI: 10.1016/j.pquantelec.2010.06.002).
• [4] S. Preuet al.: “Terahertz detection by a homodyne field effect transistor multiplicative mixer,” IEEE Trans. THz Sci. Technol. 2 (2012) 278 (DOI: 10.1109/TTHZ.2012.2191671).
• [5] S. S. Gearhartet al.: “A wide-band 760-GHz planar integrated Schottky receiver,” IEEE Microw. Guided Wave Lett. 3 (1993) 205 (DOI: 10.1109/75.222776).

タイトルに関連する用語 (9件)： バイアス ,  InP ,  InGaAs ,  フェルミレベル ,  バリア ,  ダイオード ,  テラヘルツ波 ,  低雑音 ,  ホモダイン検出