Chidambaram T. について
SUNY Polytechnic Institute, Albany, NY, USA について
Veksler D. について
NIST, Gaithersburg, MD, USA について
Madisetti S. について
SUNY Polytechnic Institute, Albany, NY, USA について
Yakimov M. について
SUNY Polytechnic Institute, Albany, NY, USA について
Tokranov V. について
SUNY Polytechnic Institute, Albany, NY, USA について
Oktyabrsky S. について
SUNY Polytechnic Institute, Albany, NY, USA について
IEEE Electron Device Letters について
ヒ化ガリウムインジウム について
反転層 について
Hall移動度 について
キャリア捕獲 について
密度 について
キャリア について
InGaAs について
界面トラップ について
トラップ密度 について
自由キャリア について
13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 について
InGaAs について
反転層 について
Hall移動度 について
界面 について
トラップ密度 について