抵抗温度検出器用ナノ構造化Ti<sub>1-x</sub>Cu<sub>x</sub>薄膜と電気抵抗率との関係

FERREIRA A.; BORGES J.; LOPES C.; RODRIGUES M. S.; LANCEROS-MENDEZ S.; LANCEROS-MENDEZ S.; LANCEROS-MENDEZ S.; VAZ F.

文献

J-GLOBAL ID：201702295508406982 整理番号：17A0462308

抵抗温度検出器用ナノ構造化Ti_1-xCu_x薄膜と電気抵抗率との関係

Relationship between nano-architectured Ti_1-x Cu_x thin film and electrical resistivity for resistance temperature detectors

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資料名：
巻： 52 号： 9 ページ： 4878-4885 発行年： 2017年05月
JST資料番号： B0722A ISSN： 0022-2461 CODEN： JMTSAS 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

抵抗温度検出器の応答性,小型化,コスト,化学特性,機械特性,摩耗性,耐食性などを改善するためTi-Cu系薄膜をDCスパッタ蒸着で作製した,そのセンサとしての性能を調べた。抵抗の温度係数(TCR)の最適化のために銅濃度を系統的に変えたTi_1-xCu_x薄膜をガラス基板上に蒸着した。視野角蒸着(GLAD)法を用いでスパッタ角度を柱状構造薄膜では0°,ジグザク構造では45°と変えた。Ti_1-xCu_x薄膜中の銅量増加に伴い導電率が増加した。温度を35から200°C間で交互に変動させ測定した電気抵抗変化は柱状構造薄膜ではヒステリシスが現れ,ジグザク構造ではヒステリシスは現れなかった。最大TCR値はTi_0.49Cu_0.51組成ジグザク構造薄膜で4.38x10^-3°C^-1,純粋な銅試料で9.57x10^-3°C^-1であった。

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温度測定,温度計 , 金属薄膜

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抵抗温度検出器用ナノ構造化Ti1-xCux薄膜と電気抵抗率との関係

抵抗温度検出器用ナノ構造化Ti_1-xCu_x薄膜と電気抵抗率との関係