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J-GLOBAL ID：201702296373970743   整理番号：17A0526175

FiCC:高集積向け耐クロストークノイズメタルフリンジキャパシタ

FiCC: Crosstalk Noise Hardened Metal Fringe Capacitor for High Integration

著者 (4件)： 宮川尚之 (立命館大 大学院情報理工学研究科) ,  木村知也 (立命館大 大学院情報理工学研究科) ,  越智裕之 (立命館大 大学院情報理工学研究科) ,  越智裕之 (立命館大 情報理工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 478(VLD2016 102-130)  ページ： 43-47  発行年： 2017年02月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿では,メタルフリンジキャパシタの一種であるFishbone-in-Cage Capacitor(FiCC)を提案し,3Dフィールドソルバおよび実測で得られた特性を示す。配線間容量を利用したメタルフリンジキャパシタは通常のCMOSプロセス互換かつ理想的な線形特性を持つキャパシタである。しかし,小容量のキャパシタを集積する場合,当該キャパシタ外のメタル,例えば他の配線や他のキャパシタとの間のクロストーク容量について十分な考慮や定量的な評価が必要である。本稿では,メタルフリンジキャパシタの電極を内側と外側に分け,内側電極を外側電極でシールドする構造としたものを提案する。その特性を評価するために,提案するFiCCと一般的なメタルフリンジキャパシタの3Dモデルを作成し,信号線を想定したキャパシタ外のメタルや近接して配置された他のキャパシタとの間のクロストーク容量を3Dフィールドソルバを用いて評価した。その結果,FiCCの内側電極は一般的なメタルフリンジキャパシタに比べ,キャパシタ外のメタルとのクロストーク容量を約1/10に抑えられることが確認できた。(著者抄録)

シソーラス用語： *集積 ,  *クロストーク ,  *雑音 ,  *金属 ,  *静電場 ,  *コンデンサ ,  骨 ,  応用プログラム ,  半導体プロセス ,  線形性 ,  電極 ,  モデル ,  三次元モデル
準シソーラス用語： 3Dモデル ,  CMOSプロセス ,  ソルバ ,  *フリンジ場 ,  魚骨 ,  *高集積化

分類 (1件)： LCR部品  (NA05030D)

引用文献 (7件)：

• R. Aparicio and A. Hajimiri, ′′Capacity limits and match-ing properties of integrated capacitors,′′ IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol.37, no.3, pp.384-393, 2002.
• A. Matsuzawa, ′′Analog and RF circuits design and future devices interaction,′′ Electron Devices Meeting (IEDM), 2012 IEEE InternationalIEEE, pp.14-3 2012.
• Q.S. Lim, A.V. Kordesch, and R.A. Keating, ′′Performance comparison of MIM capacitors and metal finger capacitors for analog and RF applications,′′ RF and Microwave Con-ference, 2004. RFM 2004. ProceedingsIEEE, pp.85-89 2004.
• V. Tripathi and B. Murmann, ′′Mismatch characterization of small metal fringe capacitors,′′ IEEE Transactions on Cir-cuits and Systems I: Regular Papers, vol.61, no.8, pp.2236-2242, 2014.
• C. Calligaro, V. Liberali, and A. Stabile, ′′A radiation hard-ened 512 kbit SRAM in 180 nm CMOS technology,′′ Elec-tronics, Circuits, and Systems, 2009. ICECS 2009. 16th IEEE International Conference onIEEE, pp.655-658 2009.

タイトルに関連する用語 (1件)： 集積