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J-GLOBAL ID：201702296565446161   整理番号：17A1258072

高電圧UMOSのホットキャリア信頼性のための設計【Powered by NICT】

Design for hot-carrier reliability of HV UMOS
著者 (8件)：
Aryadeep Chirag

Aryadeep Chirag について

(Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, 500, Lioufeng Rd., Taichung, Taiwan-41354)

Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, 500, Lioufeng Rd., Taichung, Taiwan-41354 について

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Sheu Gene

Sheu Gene について

(Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, 500, Lioufeng Rd., Taichung, Taiwan-41354)

Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, 500, Lioufeng Rd., Taichung, Taiwan-41354 について

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Selvendran Sivaji

Selvendran Sivaji について

(Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, 500, Lioufeng Rd., Taichung, Taiwan-41354)

Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, 500, Lioufeng Rd., Taichung, Taiwan-41354 について

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Jaiswal Suman

Jaiswal Suman について

(Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, 500, Lioufeng Rd., Taichung, Taiwan-41354)

Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, 500, Lioufeng Rd., Taichung, Taiwan-41354 について

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Krishna Sai S.

Krishna Sai S. について

(Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, 500, Lioufeng Rd., Taichung, Taiwan-41354)

Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, 500, Lioufeng Rd., Taichung, Taiwan-41354 について

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Mastanbasheer Shaik

Mastanbasheer Shaik について

(Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, 500, Lioufeng Rd., Taichung, Taiwan-41354)

Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, 500, Lioufeng Rd., Taichung, Taiwan-41354 について

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Sai Dheeraj Muntha

Sai Dheeraj Muntha について

(Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, 500, Lioufeng Rd., Taichung, Taiwan-41354)

Department of Computer Science and Information Engineering, Asia University, 500, Lioufeng Rd., Taichung, Taiwan-41354 について

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Chen Po-An

Chen Po-An について

(Nuvoton Technology Corporation, Hsinchu, Taiwan)

Nuvoton Technology Corporation, Hsinchu, Taiwan について


資料名：
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

IEEE Conference Proceedings について


巻： 2017  号： ISNE  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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ホットキャリア注入(H CI)ストレスに対してロバストな,ゲート酸化膜を持つ900~1500A,破壊電圧40~100V,革新的かつ改良されたUMOS素子構造を提案した。ゲート酸化物中のp型とn型ドーピングの影響を示すと報告し,ポリゲート領域はH CI性能を著しく改善することができる。UMOSFET H CI,ゲート酸化物とポリゲートにおけるドーピングへの応答を研究した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ホットキャリア

ホットキャリア について

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*信頼性

信頼性 について

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ロバスト性

ロバスト性 について


準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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絶縁破壊電圧

絶縁破壊電圧 について

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ゲート酸化膜

ゲート酸化膜 について

, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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高電圧

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ホットキャリア

ホットキャリア について

, 
設計

設計 について


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