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J-GLOBAL ID：201702299193595541   整理番号：17A0453190

PEDOTの逆回復過渡特性:PSS/n Si複合有機-無機ヘテロ接合【Powered by NICT】

Reverse recovery transient characteristic of PEDOT:PSS/n-Si hybrid organic-inorganic heterojunction

著者 (9件)： Prakoso Ari Bimo (Novitas, Nanoelectronics Centre of Excellence, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore) ,  Prakoso Ari Bimo (CINTRA UMI CNRS/NTU/THALES 3288 Research Techno Plaza, 50 Nanyang Drive, Border X Block, Level 6, Singapore 637553, Singapore) ,  Ke Lin (Institute of Materials Research and Engineering, A*STAR, 2 Fusionopolis Way, Innovis, #08-03, Singapore 13863, Singapore) ,  Wang Jianxiong (Novitas, Nanoelectronics Centre of Excellence, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore) ,  Li Zeyu (Novitas, Nanoelectronics Centre of Excellence, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore) ,  Li Zeyu (CINTRA UMI CNRS/NTU/THALES 3288 Research Techno Plaza, 50 Nanyang Drive, Border X Block, Level 6, Singapore 637553, Singapore) ,  Jiang Changyun (Institute of Materials Research and Engineering, A*STAR, 2 Fusionopolis Way, Innovis, #08-03, Singapore 13863, Singapore) ,  Rusli (Novitas, Nanoelectronics Centre of Excellence, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore) ,  Rusli (CINTRA UMI CNRS/NTU/THALES 3288 Research Techno Plaza, 50 Nanyang Drive, Border X Block, Level 6, Singapore 637553, Singapore)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 42  ページ： 269-274  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 逆回復過渡(RRT)特性化によりポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):polystyrenesulphonate/n Siハイブリッド有機/無機ヘテロ接合の接合挙動を調べた。PEDOT:PSS/n-Siハイブリッド接合のためのRRT応答は種々のn-Siドーピング濃度と順方向バイアス電流注入レベルについて報告した。Schottky接合モデルに反してRRT応答における整定時間8.3 23.5μsの存在は一般的にPEDOT:PSS/n-Siハイブリッド構造のための仮定した。増加したn-Siドーピング濃度と少数キャリア寿命の減少126.8μsから39.5μsまで,少数キャリアは,接合のn-Si側,ハイブリッド構造のためのp~+-接合モデルと矛盾しないで保存されることを示唆した。少数キャリア寿命は,順方向バイアス電流注入レベルに依存することが判明する,PEDOT:PSS/n-Si接合での再結合中心のトラップ飽和効果に起因していた。PEDOT:PSS/n-Siハイブリッド接合のDCIV特性も拡散とトラップ支援再結合に支配された暗電流の概念と一致した。PEDOT:PSS/n-Siの拡散支配輸送はSiの良好な輸送特性に活用する理想的なp~+接合挙動をもたらした。著者らの知見は,organic/Siハイブリッド接合に基づく電子デバイスの特性のモデリングと最適化に重要である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 最適化 ,  再結合 ,  キャラクタリゼーション ,  複合構造 ,  *ポリエチレンジオキシチオフェン ,  暗電流 ,  少数キャリア ,  *過渡応答 ,  拡散律速 ,  モデリング ,  再結合中心 ,  *ヘテロ接合 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： Schottky接合 ,  バイアス電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 有機/無機ハイブリッド装置 ,  ヘテロ接合 ,  逆回復過渡現象 ,  p-n接合 ,  PEDOT:PSS

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (6件)： PEDOT ,  回復 ,  過渡特性 ,  PSS ,  Si ,  ヘテロ接合