文献

J-GLOBAL ID：201702299299471046   整理番号：17A1345135

直接ウエハボンディングとエピタキシャルリフトオフ技術を用いたInGaAs上絶縁体基板の作製【Powered by NICT】

Fabrication of InGaAs-on-Insulator Substrates Using Direct Wafer-Bonding and Epitaxial Lift-Off Techniques

著者 (12件)： Kim Seong Kwang (Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Korea Institute of Science and Technology, Seoul, South Korea) ,  Shim Jae-Phil (Center for Spintronics, Korea Institute of Science and Technology, Seoul, South Korea) ,  Geum Dae-Myeong (Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Korea Institute of Science and Technology, Seoul, South Korea) ,  Kim Chang Zoo (Korea Advanced Nanofab Center, Suwon, South Korea) ,  Kim Han-Sung (Center for Spintronics, Korea Institute of Science and Technology, Seoul, South Korea) ,  Song Jin Dong (Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Choi Sung-Jin (Kookmin University, Seoul, South Korea) ,  Kim Dae Hwan (Kookmin University, Seoul, South Korea) ,  Choi Won Jun (Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Kim Hyung-Jun (Center for Spintronics, Korea Institute of Science and Technology, Seoul, South Korea) ,  Kim Dong Myong (Kookmin University, Seoul, South Korea) ,  Kim Sanghyeon (Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 9  ページ： 3601-3608  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 費用対効果と低温プロセスによる絶縁体上半導体少ない欠陥( OI)は,モノリシック3D集積のための必要がある。に向けて,本論文では,直接ウエハボンディング(DWB)とエピタキシャルリフトオフ(ELO)技術を特徴とするヒ化ガリウムインジウムOI構造のコスト効率の良い製造とりん化インジウムドナーウエハの再利用を示した。を系統的に迅速かつハイスループットプロセス,コストダウンに必須である用ELOプロセスを高速化するためにDWBと表面改質(親水性)前のIII-V層の前パターン形成の影響を調べた。この方法はSi上のIn_0In0.53Ga_0Ga0.47Asの優れた結晶品質を提供した。膜の結晶品質をRamanスペクトル,および透過型電子顕微鏡を用いて評価した。最後に,提案したDWBとELOにより作製したIn_0In0.53Ga_0Ga0.47As OI金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの優れた電気的性質を達成した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *絶縁体 ,  FET【トランジスタ】 ,  三次元 ,  Ramanスペクトル ,  原価低減 ,  電気的性質 ,  パターン形成 ,  透過型電子顕微鏡 ,  リン化インジウム ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  表面改質 ,  半導体
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  低温プロセス ,  *ウエハボンディング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  LCR部品  (NA05030D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ウエハボンディング ,  エピタキシャルリフトオフ ,  InGaAs ,  絶縁体 ,  作製