特許
J-GLOBAL ID：201703000059234224
アノード電池材料およびその製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (5件)：
小野 新次郎
, 山本 修
, 宮前 徹
, 中西 基晴
, 中村 充利
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-047396
公開番号（公開出願番号）：特開2017-152385
出願日： 2017年03月13日
公開日（公表日）： 2017年08月31日
要約：
【課題】リチウムイオン電池のための多孔質なシリコンの膜および粒子を調製する新規な方法を提供する。【解決手段】概して次の工程を含む:(1)シリコン材料を溶液(例えば、フッ化水素酸の溶液)の中で一定の電流密度に曝露することによってそのシリコン材料をエッチングし、それにより支持体の上に多孔質なシリコンの膜を形成すること;および(2)電流密度を連続して増加するようにして徐々に増大させることによって、支持体から多孔質シリコン膜を分離する方法。多孔質シリコン膜をポリアクリロニトリル(PAN)のような結合物質と組み合わせる工程を含んでもよく、多孔質シリコン膜を分裂させることによって多孔質シリコンの粒子を形成する工程も含めることができる方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
多孔質シリコン膜の調製方法であって、次の工程:
シリコン材料をエッチングすること、このとき、エッチングすることはシリコン材料をある電流密度に曝露することを含み、そして、エッチングすることによってシリコンの支持体の上に多孔質なシリコンの膜が形成される;および
シリコンの支持体から多孔質シリコン膜を分離すること、このとき、分離することは電流密度を連続して増加するようにして徐々に増大させることを含む;
を含む前記方法。
IPC (4件)：
H01M 4/38
, H01M 4/36
, C01B 33/02
, C01B 32/05
H01M4/38 Z
, H01M4/36 A
, C01B33/02 Z
, C01B32/05
4G072AA01
, 4G072BB02
, 4G072BB05
, 4G072BB09
, 4G072BB15
, 4G072DD03
, 4G072DD04
, 4G072GG01
, 4G072GG02
, 4G072HH01
, 4G072JJ13
, 4G072JJ18
, 4G072KK01
, 4G072KK11
, 4G072KK15
, 4G072KK17
, 4G072LL06
, 4G072LL07
, 4G072MM26
, 4G072MM40
, 4G072QQ09
, 4G072RR30
, 4G072TT01
, 4G072TT08
, 4G072TT30
, 4G072UU30
, 4G146AA01
, 4G146AB07
, 4G146AD17
, 4G146AD25
, 4G146BA13
, 4G146BA16
, 4G146BA17
, 4G146BC03
, 4G146BC33B
, 5H050AA07
, 5H050AA19
, 5H050BA16
, 5H050CB11
, 5H050GA05
, 5H050GA14
, 5H050HA04
, 5H050HA05
, 5H050HA06
, 5H050HA09
, 5H050HA17
, 5H050HA19
