特許
J-GLOBAL ID：201703000076982188

プローブ案内部材及びその製造方法

発明者：
西川 正人

西川 正人 について

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永田 剛春

永田 剛春 について

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田中 稔男

田中 稔男 について

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光永 敏勝

光永 敏勝 について

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伏井 康人

伏井 康人 について


出願人/特許権者：
デンカ株式会社

デンカ株式会社 について


代理人 (1件)： アクシス国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-060746
公開番号（公開出願番号）：特開2017-173179
出願日： 2016年03月24日
公開日（公表日）： 2017年09月28日
要約：
【課題】シリコンに近い熱膨張係数、かつ精密加工性を持ち、工具摩耗の少ない半導体素子の検査に用いるプローブ案内部材を提供する。【解決手段】窒化ホウ素40質量部以上60質量部以下と、下記の式1で示されるサイアロン25質量部以上58質量部以下と、焼結助剤2質量部以上15質量部以下との合計100質量部を含む組成物からなり、相対密度が90%以上で且つJIS R1601:2008に従って測定する3点曲げ強さが250MPa以上の窒化ホウ素-サイアロン系複合セラミックス焼結体であることを特徴とするプローブカード用プローブ案内部材とする。 Si6-ZAlZOZN8-Z、但しZ=0.2〜1.5 (式1)【選択図】なし
請求項（抜粋）：
窒化ホウ素40質量部以上60質量部以下と、下記の式1で示されるサイアロン25質量部以上58質量部以下と、焼結助剤2質量部以上15質量部以下との合計100質量部を含む組成物からなり、相対密度が90%以上で且つJIS R1601:2008に従って測定する3点曲げ強さが250MPa以上、下式に示すサイアロン組成のZ値が0.2以上1.5以下の、窒化ホウ素-サイアロン系複合セラミックス焼結体であることを特徴とするプローブ案内部材。 Si6-ZAlZOZN8-Z、但しZ=0.2〜1.5 (式1)
IPC (4件)：
G01R 1/06 ,  G01R 1/073 ,  C04B 35/583 ,  H01L 21/66
FI (4件)：
G01R1/06 D ,  G01R1/073 E ,  C04B35/58 103J ,  H01L21/66 B
Fターム (37件)：
2G011AA00 ,  2G011AB07 ,  2G011AC06 ,  2G011AE03 ,  2G011AF07 ,  4G001BA03 ,  4G001BA04 ,  4G001BA06 ,  4G001BA08 ,  4G001BA09 ,  4G001BA32 ,  4G001BA33 ,  4G001BA36 ,  4G001BA52 ,  4G001BB03 ,  4G001BB04 ,  4G001BB06 ,  4G001BB08 ,  4G001BB09 ,  4G001BB32 ,  4G001BB33 ,  4G001BB36 ,  4G001BB52 ,  4G001BC12 ,  4G001BC13 ,  4G001BC24 ,  4G001BC42 ,  4G001BC52 ,  4G001BC55 ,  4G001BD05 ,  4G001BD12 ,  4G001BD14 ,  4G001BE33 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA01 ,  4M106DD10
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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