特許

J-GLOBAL ID：201703000098535142

光電変換装置

発明者： 田中 英樹 ,  古沢 昌宏
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 渡辺 和昭 ,  西田 圭介 ,  仲井 智至
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-018635
公開番号（公開出願番号）：特開2016-066825
特許番号：特許第6123925号
出願日： 2016年02月03日
公開日（公表日）： 2016年04月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 光電変換装置であって、 p型の第1のアモルファスシリコン層と、n型の第2のアモルファスシリコン層と、前記第1のアモルファスシリコン層と前記第2のアモルファスシリコン層との間に配置されたi型の第3のアモルファスシリコン層と、を有する第1の光電変換装置と、 p型の第4のアモルファスシリコン層と、n型の第5のアモルファスシリコン層と、前記第4のアモルファスシリコン層と前記第5のアモルファスシリコン層との間に配置されたi型の第6のアモルファスシリコン層と、を有する第2の光電変換装置と、 前記第2のアモルファスシリコン層と前記第4のアモルファスシリコン層との間に配置された電極層と、を含み、 前記第3のアモルファスシリコン層は、複数の第1のナノ結晶粒を含み、 前記第6のアモルファスシリコン層は、複数の第2のナノ結晶粒を含み、 前記第1のナノ結晶粒および前記第2のナノ結晶粒の少なくとも一方はシリコン以外の材料でできており、 前記第1のナノ結晶粒のバンドギャップは、前記第2のナノ結晶粒のバンドギャップよりも大きく、 前記第1の光電変換装置は、前記第2の光電変換装置よりも光の入射側に配置されていることを特徴とする光電変換装置。

IPC (2件)：

H01L 31/075 ( 201 2.01) ,  H01L 31/076 ( 201 2.01)

FI (2件)：

H01L 31/06 500 ,  H01L 31/06 510

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光電変換装置、電子機器、光電変換装置の製造方法および電子機器の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-128901   出願人：セイコーエプソン株式会社