特許
J-GLOBAL ID：201403081841084409
光電変換装置、電子機器、光電変換装置の製造方法および電子機器の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 宮坂 一彦
, 渡辺 和昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-128901
公開番号（公開出願番号）：特開2014-209651
出願日： 2014年06月24日
公開日（公表日）： 2014年11月06日
要約：
【課題】特性の良好な光電変換装置を提供する。【解決手段】基板1上に、透明電極3、p型(第1導電型)のアモルファスシリコン層5、i型のアモルファスシリコン層7、n型(第2導電型)のアモルファスシリコン層9および上部電極11が順次積層されている。i型のアモルファスシリコン層7中には、シリコンよりなる量子ドット(QD、ナノ結晶粒)dが分散状態で含有されている。かかる構成によれば、ナノ結晶粒と当該ナノ結晶粒を構成する前記半導体のアモルファス層とのバンドギャップ差に起因する量子井戸が形成され、光電変換効率の高い光電変換装置となる。特に、結晶性の異なる同一材料を用いることで、バンドギャップ差が比較的小さくなり、量子井戸の深さを浅くできる。その結果、キャリアが取り出しやすくなり、装置特性が向上する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光電変換装置であって、
ナノ結晶粒と、
半導体層と、を有し、
前記ナノ結晶粒は第1の半導体からなり、
前記半導体層は、第2の半導体のアモルファス層に前記ナノ結晶粒を含有した第1の半導体層を含む、光電変換装置。
IPC (2件)：
H01L 31/035
, H01L 31/076
H01L31/04 342A
, H01L31/06 510
5F151AA01
, 5F151BA04
, 5F151BA05
, 5F151CB13
, 5F151DA04
, 5F151DA15
, 5F151DA20
